[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200810105625.9 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101572263A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种互补金属氧化物(CMOS) 半导体器件及其制作方法。
背景技术
互补金属氧化物(CMOS)器件是一种先进的逻辑集成电路，它的功耗极 低，具有良好的抗噪声能力。
附图1提供一种现有的CMOS半导体器件的结构，如图1所示，包括PMOS 器件和NMOS器件，设定附图1中的120为PMOS器件，130为NMOS器件，半 导体衬底100为P型掺杂硅，其中含有隔离结构103，用于隔离所述的PMOS器 件和NMOS器件，所述隔离结构103为浅沟槽隔离结构。
PMOS器件120具有位于半导体衬底100上的栅极结构106，位于栅极结构 两侧的半导体衬底中的源极104和漏极105，所述的源极104和漏极105的耗尽 层深度108小于所述的PMOS器件的N阱101的深度102。同理，所述的NMOS 器件130具有位于半导体衬底100上的栅极结构116，位于栅极结构两侧的半导 体衬底100中的源极114和漏极115，所述的源极114和漏极115的耗尽层深度 118小于所述的NMOS器件的P阱110的深度112。
通常，所述的PMOS器件的N阱101的深度102远大于隔离结构103的深度， NMOS器件的P阱110的深度112也远大于隔离结构103的深度。因此，所述的 CMOS器件中就存在两条漏电流路径：PMOS器件120的N阱101与NMOS器件 130的P阱110之间的PN结反向漏电流路径，和PMOS器件120的N阱101与P型半 导体衬底100之间的PN结反向漏电流路径。
其中，PMOS器件120的N阱101与NMOS器件130的P阱110之间的PN结反 向饱和漏电流JS1的计算公式(1)为：
PMOS器件120的N阱101与P型半导体衬底100之间的PN结反向饱和漏电 JS2的计算公式(2)为：
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
