[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬 底内的N阱和P阱，半导体衬底内位于N阱和P阱之间的隔离结构，位于半 导体衬底内的N阱上的栅极结构、N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极， 其特征在于，

所述N阱的深度大于N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极的耗尽层的 深度并且小于隔离结构的深度；所述隔离结构的深度为400nm至500nm；所 述P阱的深度为500nm至1000nm。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所 述的隔离结构为浅沟槽隔离结构。

3.一种互补金属氧化物半导体器件的制作方法，包括：

在半导体衬底内形成隔离结构；

在半导体衬底内形成P阱和N阱，隔离结构位于N阱和P阱之间；

在包含N阱和P阱的半导体衬底上分别形成栅极结构；

分别在位于栅极结构两侧的N阱以及P阱内形成源极和漏极，所述N 阱的深度大于N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极的耗尽层的深度并且小 于隔离结构的深度；所述隔离结构的深度为400nm至500nm；所述P阱的深 度为500nm至1000nm。

4.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体器件的制作方法，其特 征在于，所述的隔离结构为浅沟槽隔离结构。