[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及制造方法。

背景技术

目前，随着科技的发展，在平板显示技术中，薄膜晶体管型液晶显示器(TFT-LCD)以其显示品质优良、制造成本相对较低、功耗低和无辐射的特点，已经成为信息显示的主流产品，其显示品质也随着制造工艺技术的进步而得到不断的提高。

TFT-LCD是由阵列基板和彩膜基板对盒而形成的，目前，主流的非晶硅TFT-LCD阵列基板结构通常采用背沟道腐蚀的底栅结构。如图1、图1a所示，所述阵列基板结构包括：一组栅极扫描线1和与之垂直的一组数据扫描线5，相邻的栅极扫描线和数据扫描线交叉定义了像素区域，其中，每一个像素包含有一个TFT开关器件、像素电极10和公共电极引线11。所述TFT开关器件由栅电极2、栅极绝缘层4、半导体层3、源电极6、漏电极7以及欧姆接触层13组成。钝化层8覆盖在上述各部分之上，并在漏电极7上方形成钝化层过孔9。像素电极10通过钝化层的过孔9与TFT的漏电极7相连接。其中，像素电极10与栅极扫描线1之间、像素电极10与公共电极引线11之间一起形成存储电容。为了进一步降低对盒后像素里的漏光，在像素区域平行于数据扫描线5的两侧形成挡光条12。

目前，制造薄膜晶体管液晶显示器阵列基板通常采用5-Mask(光刻)工艺，如图2所示，5-Mask工艺步骤分为五步：

201、在所述基板上，通过沉积金属薄膜、曝光、刻蚀等构图工艺，形成栅电极和栅极扫描线；

202、在完成步骤201的基板上，通过沉积非金属薄膜、曝光、刻蚀等构图工艺，形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层；

203、在完成步骤202的基板上，通过连续沉积金属薄膜、曝光、刻蚀等构图工艺，形成源电极、漏电极及数据扫描线；

204、在完成步骤203的基板上，通过沉积钝化层薄膜、曝光、刻蚀等构图工艺，形成钝化层及其上的过孔；

205、在完成步骤204的基板上，通过沉积金属薄膜、曝光、刻蚀等构图工艺，形成像素电极。

其中，每一步骤都包括薄膜沉积、曝光、刻蚀等构图工艺。上面所述的是一种典型的5-Mask工艺。通过改变Mask设计和工艺流程，也有其它的5-Mask工艺技术。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于像素电极10与栅极扫描线1、像素电极10与公共电极引线11之间形成存储电容，如图1b所示，像素电极10与栅极扫描线1(图中未示出)、公共电极引线11之间存在栅极绝缘层4和钝化层8两层结构，导致像素电极10与栅极扫描线1、像素电极10与公共电极引线之间的间距较大，存储电容小，跳变电压较低，进而影响了薄膜晶体管液晶显示器的显示品质；另外，所述5-Mask工艺需要进行五步曝光工艺，工艺周期过长，生产效率较低，生产成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，采用该结构能够提升薄膜晶体管液晶显示器的显示品质。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，包括：形成在基板上的栅极扫描线和数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线所限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，其特征在于：

所述薄膜晶体管的组成结构从下到上依次为：栅电极、栅极绝缘层、透明导电层、源电极和漏电极、欧姆接触层、半导体层、钝化层；

其中，所述透明导电层与漏电极相接触的部分为像素电极，所述源电极与所述数据扫描线连接。

本发明薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的结构，像素电极与栅极扫描线、公共电极引线之间只存在有栅极绝缘层，与现有技术相比，像素电极与栅极扫描线、像素电极与公共电极引线之间的间距减小，存储电容增大，跳变电压减小，从而能够有效改善薄膜晶体管液晶显示器的显示品质。

本发明还提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板制造方法，使用该方法能够缩短制造工艺周期，提高生产效率。

本发明所采用的技术方案为：

一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板制造方法，包括如下步骤：

采用构图工艺，在所述阵列基板上形成栅电极、栅极扫描线、公共电极引线和挡光条；

在所述栅电极上沉积栅极绝缘层；

采用构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成像素电极、数据扫描线、源电极、漏电极和欧姆接触层；

采用构图工艺，在所述欧姆接触层上形成半导体层；