[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，包括：形成在基板上的栅极扫描线和数据扫描线，相邻的栅极扫描线和数据扫描线所限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，其特征在于： 

所述薄膜晶体管的组成结构从下到上依次为栅电极、栅极绝缘层、透明导电层、源电极和漏电极、欧姆接触层、半导体层、钝化层； 

其中，所述透明导电层与漏电极相接触的部分为像素电极，所述源电极与所述数据扫描线连接。 

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于，还包括： 

公共电极引线，与所述栅极扫描线处于同一层，且平行于所述栅极扫描线。 

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于，还包括： 

挡光条，位于所述基板之上，平行于所述数据扫描线。 

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于：所述数据扫描线位于所述透明导电层之上，与所述栅极扫描线垂直。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于：所述像素电极与所述栅极扫描线以及公共电极引线之间一起形成存储电容。 

6.根据权利要求3至5中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于：所述栅极扫描线、栅电极、数据扫描线、薄膜晶体管的源电极和漏电极、公共电极引线和挡光条为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构成的单层或复合层结构。 

7.根据权利要求3至5中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结 构，其特征在于：所述栅极扫描线、栅电极、公共电极引线和挡光条为在同一构图工艺中完成制作的相同材料部分。 

8.根据权利要求3至5中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于：所述栅极绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝。 

9.根据权利要求3至5中任一项所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构，其特征在于：所述像素电极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。 

10.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 

采用构图工艺，在所述阵列基板上形成栅电极、栅极扫描线、公共电极引线和挡光条； 

在所述栅电极上沉积栅极绝缘层； 

采用构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成像素电极、数据扫描线、源电极、漏电极和欧姆接触层； 

采用构图工艺，在所述欧姆接触层上形成半导体层； 

采用构图工艺，在所述半导体层上形成钝化层。 

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所述采用构图工艺，在所述栅极绝缘层上形成像素电极、数据扫描线、源电极、漏电极和欧姆接触层的步骤具体为： 

在所述栅极绝缘层上先后沉积透明导电层薄膜、金属薄膜和欧姆接触层薄膜； 

采用全曝光和半曝光相结合的工艺，对全曝光区域和半曝光区域分别进行相应的曝光显影； 

采用刻蚀工艺，去掉全曝光区域的欧姆接触层、金属薄膜和透明导电层； 

对半曝光区域进行灰化处理，去掉表面的光刻胶； 

采用刻蚀工艺，去掉金属薄膜和透明导电层中的金属薄膜层，最终形成数据扫描线、源电极、漏电极和像素电极结构； 

其中，所述数据扫描线、源电极和漏电极、欧姆接触层为光刻胶覆盖区域，为未曝光区域，像素电极区域为半曝光区域，其他区域为全曝光区域。