[发明专利]液晶取向层的制作方法有效
| 申请号: | 200810102480.7 | 申请日: | 2008-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN101539686A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
| 发明(设计)人: | 路林林 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;C23C14/35;C23C14/30 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张颖玲;王黎延 |
| 地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 取向 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术,特别涉及一种液晶取向层的制作方法。
背景技术
液晶显示器除其它组成部分如偏光板、玻璃基板外,还包括一个液晶层,该液晶层的取向行为决定了所述液晶显示器的大多数光学特性,而这种取向由与该液晶层接触的取向层决定,所述取向层也称为液晶取向层。该液晶取向层为接近于液晶层表面的液晶分子提供一个预倾角度,使液晶分子能够在其表面上沿特定的方向取向即排列。
目前,液晶取向层的一般制作过程是:
(1)先在液晶显示器的上、下基板上均涂覆取向液。如图1所示,常见的取向液涂覆工艺采用转印方式,取向液通过喷嘴110喷洒到均液辊120上,在均液辊120和压液辊130相对转动的作用下,取向液被均匀地压成一定厚度,之后,随着印刷辊140的转动,均液辊120上的取向液被均匀地涂在印刷辊140表面覆盖的橡胶转印板150上。当玻璃基板160进入设备后,载有玻璃基板160的设备基台向前平移,而印刷辊140同步转动,从而橡胶转印板150上的取向液就被涂覆在玻璃基板160表面,从而完成了取向液的涂覆过程,在玻璃基板160上形成取向膜。
(2)然后对涂覆有取向液的上、下基板进行定向摩擦,以通过摩擦织物和基板之间的摩擦作用获得取向槽。如图2所示,传统的取向槽形成采用定向摩擦方式,摩擦织物170被粘贴在摩擦辊180表面,摩擦辊180的旋转带动摩擦织物170的运转,当涂覆有取向液的玻璃基板160进入设备后,基台承载玻璃基板160向前平移,摩擦织物170和玻璃基板160接触后,基台继续向前平移,摩擦辊180带动摩擦织物170高速自转,从而在玻璃基板160表面的取向液上摩擦出一系列的凹槽,即形成取向槽。为消除由摩擦而产生的静电通常情况下,还要进行去静电处理,至此即在玻璃基板160上形成了液晶取向层。
在上述制作过程中,存在以下问题:
(1)由于摩擦工艺中是以摩擦织物与玻璃基板摩擦形成取向槽,而摩擦织布的表面状态难以控制,容易导致取向槽的取向不均,从而导致液晶分子的预倾角度也不一致,而液晶分子的预倾角度对液晶显示器的显示特性非常重要;
(2)摩擦织物和玻璃基板的摩擦会带来摩擦异物及各种画面品质不良(mura)的问题,这些问题均会影响液晶显示器的显示特性;
(3)上述制作过程中,取向膜是由液态的取向液形成,因而需要对其进行固化处理,具体需要经过预固化及主固化两个流程,耗时比较长。
针对该制作过程中存在的取向不均、摩擦异物及mura等问题,业内人士提供了诸多的解决方法,例如中国专利申请号为03142948.3、200310114974.4、200510067240.4的申请文件中分别提到了一些解决方法,但这些方法只是在原有设备或工艺的基础上进行简单的改良,而不能完全解决传统技术中的问题,甚至会增加工艺流程,进而增加制作成本。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种液晶取向层的制作方法,使液晶取向层的取向更一致,进而提高液晶显示器的显示品质;并且,可降低制造成本。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种液晶取向层的制作方法,其包括以下步骤:
(1)设置沉积仓,在沉积仓的两侧分别设有玻璃基板以及气体分配器;
(2)将该沉积仓抽至真空状态;
(3)加热玻璃基板至所需温度;
(4)向该沉积仓内注入碳氢气体及惰性气体;
(5)对玻璃基板和气体分配器施加高频电压,碳氢气体及惰性气体在电场作用及一定气体压力条件下反应,在玻璃基板的表面形成取向膜;
(6)采用与玻璃基板具有一定相对角度和斜偏角度的离子枪,对玻璃基板表面的取向膜进行离子轰击,在取向膜上形成取向槽,从而形成液晶取向层。
优选地,步骤(1)中,玻璃基板设在沉积仓的阳极侧,气体分配器设在沉积仓的阴极侧。
步骤(2)中,该真空状态的真空度为10-6~10-7Torr。
步骤(3)中,玻璃基板的温度为300~450℃。
步骤(4)中,碳氢气体为H2和CH4,且H2与CH4的流量比为50~250。具体地,H2的流量为50~500sccm,CH4的流量为0.2~10sccm。
步骤(5)中,高频电压的功率为5~20MHz,更优地,高频电压的功率为10~15MHz。
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