[发明专利]液晶取向层的制作方法

权利要求书

1.一种液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

1)设置沉积仓，在沉积仓的一侧设有玻璃基板，在沉积仓的另一侧设有气体分配器；

(2)将所述沉积仓抽至真空状态；

(3)加热玻璃基板至所需温度；

(4)向所述沉积仓内注入碳氢气体及惰性气体；

(5)对所述玻璃基板和气体分配器施加高频电压，所述碳氢气体及惰性气体在电场作用及一定气体压力条件下反应，在所述玻璃基板的表面形成取向膜；所述气体压力为50×10²～500×10²Pa；

(6)采用与所述玻璃基板具有一定相对角度和斜偏角度的离子枪，对所述玻璃基板表面的取向膜进行离子轰击，在取向膜上形成取向槽，从而形成液晶取向层；所述相对角度为离子轰击形成的取向槽相对玻璃基板水平方向上的偏移角度，所述斜偏角度为预期要求的液晶分子的预倾角度。

2.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述玻璃基板设在沉积仓的阳极侧，所述气体分配器设在沉积仓的阴极侧。

3.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述真空状态的真空度为10^-6～10^-7Torr。

4.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述玻璃基板的温度为300～450℃。

5.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中，所述碳氢气体为H₂和CH₄，且H₂与CH₄的流量比为H₂∶CH₄＝50～250。

6.根据权利要求5所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中，所述H₂的流量为50～500sccm，所述CH₄的流量为0.2～10sccm。

7.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述高频电压的功率为5～20MHz。

8.根据权利要求7所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述高频电压的功率为10～15MHz。

9.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述气体压力为100×10²～450×10²Pa。

10.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述离子枪从距离玻璃基板10～25cm的高度对所述玻璃基板表面的取向膜进行离子轰击。

11.根据权利要求1所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述相对角度取决于液晶分子的旋转角度，所述斜偏角度取决于液晶分子的预倾角度。

12.根据权利要求1或11所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述相对角度为40～45°，所述斜偏角度为3～7°。

13.根据权利要求12所述的液晶取向层的制作方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述斜偏角度为4～5°。