[发明专利]一种边发射型LED封装结构有效

专利信息
申请号: 200810101191.5 申请日: 2008-02-29
公开(公告)号: CN101246945A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 张国义;易业文;陈志忠;于彤军;秦志新 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 余长江
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 发射 led 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本发明是涉及LED(发光二极管)封装结构。更具体的说,本发明涉及一种边发射型LED封装结构。

背景技术

LED作为一种发光的光源,具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、寿命长、光色纯以及环保等诸多优点。目前,白光LED已经广泛用在各个领域,具有巨大的市场前景。图1所示为LED芯片1的光强分布,LED所发出的光按LED表面法线方向2呈近似的朗伯型分布3。图2所示为传统LED的封装方式,包括LED的半球型透镜结构5、基座6,这种封装结构使LED发出的光沿着LED表面法线方向2汇聚起来,从而使得多数的光沿法线方向分布4,只有少数的光从其侧面出射。

随着LED在各个领域的广泛应用,为了满足一些特殊照明的需求,出现了边反射型LED封装方式,这种封装方式将LED发出的光导向垂直于LED表面法线方向。

2003年美国Lumileds公司的Robert S.West等人利用透明介质的全发射以及抛物面反射面的光学性质发明了一种边发射型LED的封装结构(参考文献Robert S.West,GaryD.Sasser,James W.Stewart,US Patent 6607286(2003)),随后该公司的Robert S.West等人于2004年将他们先前提出的边发射型LED结构进行了简化(参考文献Robert S.West,Gary D.Sasser,James W.Stewart,US Patent 6679621(2003))。之后2006年台湾的Epistar公司的Min-Hsun Hsieh等人也利用透明介质的全反射提出一种边发射型LED的封装结构(参考文献Min-Hsun Hsieh,Chou-Chih Yin,US Patent 7142769(2006))。另外,2007年,美国Illmination Management Solution公司的Greg Rhoads等人利用抛物面反光面及倒锥形结构反光面的性质提出一种边发射型的LED封装结构(参考文献GregRhoads,Garrison Holder,US Patent 7246917(2006))。

美国Lumileds公司的两项专利和台湾Epistar公司的专利由于多采用全反射的原理,其光强角分布的峰值角度不易控制;而美国Illumination Management Solution公司的专利利用支架将LED固定在抛物面焦点处,其结构比较复杂。

发明内容

本发明克服了现有技术中的不足之处,提供了一种边发射型LED的结构,同时该结构实现了对边发射型LED光强角分布峰值角度的控制。

本发明的技术方案是:

一种边发射型LED的封装结构,包括LED芯片、基座、旋转抛物面的反光碗、透明介质支撑结构、锥顶角为θ的倒圆锥形结构、倒圆锥形结构表面的反光层,其中:

所述旋转抛物面的反光碗位于基座内,所述LED芯片固定在反光碗底部,所述反光碗内填充树脂,所述锥顶角为θ的倒圆锥形结构通过透明介质支撑结构连接在树脂表面。

所述LED芯片为单色LED芯片或者蓝光LED芯片或者红绿蓝三基色LED芯片阵列。

所述LED芯片正面中心与旋转抛物面焦点关于树脂表面镜面对称。

所述透明介质支撑结构为树脂或者玻璃。

所述透明介质支撑结构用胶水粘贴在填充树脂的表面中心位置。

所述透明介质支撑结构上有与椎顶角θ配合的凹槽。

与现有技术相比,本发明采用全反射及镜面反射相结合的技术方案,实现了对光强角分布的控制,能够通过改变圆锥形反射面的锥顶角实现对光强角分布的控制。

附图说明

图1是LED芯片的光强角分布示意图

图2是传统封装的LED光强角分布示意图

图3是本发明中LED封装剖面的示意图

图4是本发明中所设计的LED光路图

图5是本发明中封装后的光强分布示意图

图6是单颗LED封装剖面的示意图(锥顶角为90°)

图7是白光LED封装剖面的示意图(锥顶角为90°)

图8是RGB三基色LED封装剖面的示意图(锥顶角为90°)

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述:

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