[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造例如在半导体集成电路中使用的半导体装置的半导体装置制造方法。

背景技术

半导体元件随着微细化的发展而其尺寸缩小，并且，根据高功能化的要求，存在焊盘电极数增加的趋势。其结果是，存在所述焊盘电极的配置间距缩小的趋势，且现实50μm以下、20μm左右的间距。

此外，作为所述半导体元件的安装技术，确立了在焊盘电极上形成Au凸起，通过该Au凸起在带上安装半导体元件，例如，在大型TFT(薄膜晶体管)面板模块等各种设备中组装的技术，该技术成为主流。

在这样的状况下，以窄间距形成Au凸起的技术今后将会越来越重要。

在形成所述Au凸起的技术中，使用通过溅射法所形成的Au膜作为电镀用电极，通过电镀法在该Au膜上形成Au凸起后，去除不需要的Au膜，作为在该去除中所使用的刻蚀刻蚀液，提出含有碘的碘溶液。

在JP特开2001-148401号公报中，在电镀后不需要的电镀用电极的去除处理中，使用碘化钾或碘化铵的溶液作为刻蚀液。

在JP特开平5-67620号公报中，发现加下现象：在对电镀后不需要的电镀用电极进行刻蚀后，由于残存刻蚀液，元件安装后，在老化中，进行对Au凸起正下方的电镀用电极的刻蚀，使Au凸起剥落。

因此，在JP特开平5-67620号公报中，以提高可靠性为目的，为了避免刻蚀液的残留，提出改变Au凸起形成工艺的对策。

下面具体说明所述对策。

在所述对策中，首先，在包含多个半导体元件的晶片的整个表面上，通过溅射覆盖电镀用电极后，在电镀用电极的整个表面涂敷感光性抗蚀剂。

接着，将所述感光性抗蚀剂构图为预定的形状。以不需要的电镀用电极露出的方式进行该构图。

接着，使用所述构图后的感光性抗蚀剂作为掩模，刻蚀不需要的电镀用电极后，去除感光性抗蚀剂，用纯水清洗晶片。

接着，在所述晶片的整个面上涂敷感光性聚酰亚胺后，以电镀用电极的一部分露出的方式，刻蚀感光性聚酰亚胺。

接着，在从所述感光性聚酰亚胺露出的电镀用电极的一部分上，通过湿式电镀法形成Au凸起。

接着，在预定温度下焙烧所述晶片，对感光性聚酰亚胺进行聚酰亚胺化，并且，使该感光性聚酰亚胺的膜厚减半。由此，Au凸起的一部分从所述聚酰亚胺化后的感光性聚酰亚胺突出。

这样，在所述对策中，去除不需要的电镀用电极，用纯水进行清洗后，进行Au凸起的形成。

但是，对于所述对策来说，由于从现有的Au凸起形成工艺中很大地改变了Au凸起形成工艺，并使用了过去不使用的聚酰亚胺膜，所以，存在增加制造成本这样的问题。

此外，关于半导体元件和带的安装方法，近年来，焊盘电极的窄间距化发展，使用与带紧密粘接的导线的安装成为主流，在半导体元件和带的间隙密封树脂的方式成为主流。但是，在具有这种安装结构的半导体装置中，存在出现可靠性显著下降的情况。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种能够提高半导体装置的可靠性并且能够防止制造成本上升的半导体装置的制造方法。

此外，本发明者研究得出，具有在紧密粘接导线的带和半导体元件的间隙中密封有树脂的安装结构的半导体装置的可靠性下降原因在于，由于树脂从半导体元件的表面剥离而形成空间，在该空间形成含有卤族元素的溶液。对此，下面采用表示这样的安装结构的图2来详细说明。

如图2所示，半导体元件1在表面具有焊盘电极2。在该焊盘电极2上形成TiW膜4、Au膜5及Au凸起7。

在所述带9和表面保护膜3之间填充有树脂10。

如图2所示，使半导体元件1和带9的间隙变窄，由此，在该间隙内填充的树脂10的厚度变薄，在由于进入半导体元件1和带9之间的异物等，树脂10从半导体元件1的表面剥离的情况下，水分容易透过带9和树脂10，积存在树脂10剥离出的空间11中。由此，产生附着残存在所述表面保护膜3上含有卤素的溶液。

在该状态下，在所述半导体元件1工作时，在Au凸起7彼此之间施加电场，由此，由于电解、水分、卤素(碘)而引起Au的迁移反应，在Au凸起7彼此之间生长Au12，引起Au凸起7彼此之间的电短路，半导体元件1没有起到本来的功能，使可靠性显著下降。本发明者第一次发现该问题发生的机理。

限于本发明者所知，提及在Au凸起形成后的半导体元件的表面残留碘的情况为课题，至今没有与从半导体制造装置表面去除残留碘相关的方案。