[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810100340.6 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286465A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 二江则充;堀尾正弘;泽井敬一;渡边裕二;小山康弘;川上克二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括表面具有电极焊盘的半导体元件，其特征在于，该方法具有如下步骤：
在所述半导体元件的表面和所述焊盘电极之上形成金属膜；
在所述金属膜上，以与所述焊盘电极重叠的方式形成金属制的凸起；
以湿法刻蚀去除不与所述焊盘电极重叠的所述金属膜；以及
对所述金属膜被去除后的区域的卤族元素进行去除。
2.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述金属膜包括Au膜。
3.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，
使用所述金属膜作为电镀用电极，用电解电镀法形成所述凸起。
4.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，
用Au形成所述凸起。
5.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，
用PH9以上且PH12以下的碱性药液去除所述卤族元素。
6.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，
用50℃以上且75℃以下的纯水去除所述卤族元素。
7.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，
去除所述卤族元素，使所述金属膜被去除的区域的卤族元素为300ng/cm2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
