[发明专利]半导体激光装置和其制造方法

说明书

本申请要求基于在先申请号JP2007-67830、半导体激光装置和其制造方法、于2007年3月16日提出申请、Saburo Nakashima，和JP2008-58990、半导体激光装置和其制造方法、于2008年3月10日提出申请、Saburo Nakashima的优先权，在此引用这些申请以供参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体激光装置和其制造方法，特别涉及包括固定在基台上的半导体激光元件的半导体激光装置和其制造方法。

背景技术

现有技术中，已知包括固定在基台上的半导体激光元件的半导体激光装置等。这种半导体激光装置，例如公开在日本特开2006-41085号公报和日本特开2003-31895号公报中。

在上述日本特开2006-41085号公报中，公开了一种包括半导体激光芯片(半导体激光元件)和固定半导体激光芯片的子固定架(基台)的半导体激光装置。在该半导体激光装置中，半导体激光芯片由基板和形成在基板上的半导体层构成。

此外，在上述日本特开2003-31895号公报中，公开了一种半导体发光装置和其制造方法，该半导体发光装置包括：存在弯曲的半导体发光元件芯片(半导体激光元件)，和固定半导体发光元件芯片的固定部件(基台)。在该半导体发光装置中，采用以与半导体发光元件芯片的弯曲的形状相对应的方式对表面形状进行加工的固定部件。由此，将半导体发光元件芯片以在规定的方向产生弯曲的状态固定在固定部件上。

但是，在日本特开2006-41085号公报中公开的现有技术的半导体激光装置中，因为半导体激光芯片由基板和形成在基板上的半导体层构成，所以由于基板和半导体层的热膨胀系数差和晶格常数差，存在可能在半导体激光芯片上产生弯曲这样的问题。在这种情况下，因为通常半导体激光芯片具有沿着共振器的延伸方向的细长的形状，所以半导体激光芯片的沿着共振器的延伸方向的弯曲量变大。从而，因为半导体激光芯片的沿着共振器的延伸方向的弯曲量容易产生偏差，所以在将半导体激光芯片的弯曲的凸出侧固定在子固定架上的情况下，在半导体激光芯片的共振器的光出射端，半导体激光芯片和子固定架之间的距离容易产生偏差。因此，存在从半导体激光芯片的共振器的光出射端射出的激光的出射位置容易产生偏差的问题。此外，在将半导体激光芯片的弯曲的凸出侧固定在子固定架上的情况下，因为通常在从半导体激光芯片射出的激光的出射方向相对于子固定架的表面向上侧倾斜的状态下，在子固定架上配置半导体激光芯片，所以以半导体激光芯片的沿着共振器的延伸方向的弯曲量的偏差为原因，存在从半导体激光芯片(半导体激光元件)射出的激光的出射方向产生偏差的问题。

此外，在日本特开2003-31895号公报中公开的现有技术的半导体发光装置和其制造方法中，认为存在下述情况：在加工成与半导体发光元件芯片的弯曲的形状对应的曲面形状或规定的形状(凹形状)的固定部件上固定半导体发光元件芯片，但没有为此使半导体发光元件芯片的弯曲形状(弯曲量)的偏差与固定部件侧的形状适当地相对应。在这种情况下，在共振器的光出射端，半导体发光元件芯片和固定部件的距离容易产生偏差。因此，存在从半导体发光元件芯片的共振器的光出射端射出的激光的出射位置容易产生偏差的问题。

发明内容

本发明的第一方面的半导体激光装置包括：沿着共振器延伸的第一方向和与第一方向交叉的第二方向中的至少一个方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。

本发明的第二方面的半导体激光装置的制造方法包括：形成沿着共振器延伸的第一方向和与第一方向交叉的第二方向中的至少一个方向存在弯曲的半导体激光元件的工序；和以在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离的方式，将半导体激光元件的弯曲的凸出侧固定在基台上的工序。

附图说明

图1是用于说明本发明的半导体激光装置的概要结构的截面图。

图2是用于说明包括本发明的第一实施方式的半导体激光装置的半导体激光器的结构的立体图。

图3是用于说明本发明的第一实施方式的半导体激光装置的结构的截面图。

图4是用于说明本发明的第一实施方式的半导体激光装置的结构的平面图。