[发明专利]半导体激光装置和其制造方法

权利要求书

1、一种半导体激光装置，其特征在于，包括：

沿着共振器延伸的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向中的至少一个方向存在弯曲的半导体激光元件；和

固定所述半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，

在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的一个端部和所述基台之间的距离小于在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的另一端部和所述基台之间的距离。

2、根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第一方向的弯曲大于所述第二方向的弯曲。

3、根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述一个端部是所述半导体激光元件的光出射端，所述另一端部是所述半导体激光元件的光反射端。

4、根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于；

所述一个端部是所述半导体激光元件的光反射端，所述另一端部是所述半导体激光元件的光出射端。

5、根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述半导体激光元件包括基板，和形成在所述基板的表面上并且与所述基板相反的一侧的表面为凹状的半导体激光元件部，

所述半导体激光元件的所述基板侧通过熔接层固定在所述基台上。

6、根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述熔接层具有导电性。

7、根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述半导体激光元件包括基板，和形成在所述基板的表面上并且与所述基板相反的一侧的表面为凸状的半导体激光元件部，

所述半导体激光元件的所述半导体激光元件部侧通过熔接层固定在所述基台上。

8、根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述半导体激光元件包括具有氮化物类半导体层的半导体激光元件部。

9、根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述另一端部的附近不固定在所述基台上，所述一个端部的附近通过熔接层固定在所述基台上。

10、根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：

所述第二方向的弯曲大于所述第一方向的弯曲。

11、一种半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成沿着共振器延伸的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向中的至少一个方向存在弯曲的半导体激光元件的工序；和

以在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的另一端部和所述基台之间的距离的方式，将所述半导体激光元件的弯曲的凸出侧固定在所述基台上的工序。

12、根据权利要求11所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

将所述半导体激光元件固定在所述基台上的工序包括，相比于在所述第一方向和所述第二方向中弯曲较大的方向上的所述半导体激光元件的中央部，将所述一个端部侧通过按压部件按压在所述基台上并且通过熔接层进行固定的工序。

13、根据权利要求11所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

形成所述半导体激光元件的工序包括在基板的表面上形成与所述基板相反的一侧的表面为凹状的半导体激光元件部的工序，

将所述半导体激光元件固定在所述基台上的工序包括将所述半导体激光元件部的所述基板侧通过熔接层固定在所述基台上的工序。

14、根据权利要求13所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

所述熔接层具有导电性。

15、根据权利要求11所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：

形成所述半导体激光元件的工序包括在基板的表面上形成与所述基板相反的一侧的表面为凸状的半导体激光元件部的工序，

将所述半导体激光元件固定在所述基台上的工序包括将所述半导体激光元件部的所述基板侧通过熔接层固定在所述基台上的工序。