[发明专利]抽真空方法和存储介质有效
| 申请号: | 200810099893.4 | 申请日: | 2008-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN101320676A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
| 发明(设计)人: | 山涌纯;守屋刚;药师寺秀明;阿部和正 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空 方法 存储 介质 | ||
技术领域
本发明涉及抽真空方法和存储介质,特别涉及具有在壁面和构成部件的表面附着有水分的真空处理室的真空处理装置的抽真空方法。
背景技术
真空处理装置,例如等离子体处理装置,包括真空处理室(腔室),在腔室内收容作为基板的晶片,对该晶片实施等离子体处理,例如蚀刻处理。当反复进行等离子体处理时,在腔室的壁面和构成部件的表面上附着沉积物。为了定期除去该沉积物,对壁面和构成部件的表面进行清洁,具体而言,必须使用含有酒精等的布进行擦拭(wiping)。此时,因为操作者的手臂必须进入腔室内,所以腔室向大气开放。当腔室向大气开放时,大气中的水分附着在壁面和构成部件的表面。
清洁之后,腔室内被抽真空,但是在从腔室内排出大气等之后,为了使附着在壁面和构成部件的表面的水分气化并排出(排气),抽真空需要较长时间,这成为问题。
于是,为了缩短抽真空所需的时间,开发了各种抽真空方法。例如,开发了在开始抽真空之后暂时导入干燥不活泼气体,使腔室内为大气压以上的阳压状态,进而继续抽真空的方法(例如参照专利文献1)。根据该方法,在填充干燥不活泼气体时能够促进附着在壁面上的水分的吹扫、置换,能够缩短抽真空的时间。
但是,在上述的抽真空方法中,如果进行腔室内的减压,则大气等被排出,之后,附着在壁面和构成部件的表面的水分开始气化,之后如果还进行腔室内的减压,则因绝热膨胀而引起水分的温度下降,最后低于0℃。此时,还未气化的水分凝固。
已凝固的水分不容易在抽真空时气化(事实上,依据本发明者进行的实验,确认在目标压力1.3×10-3Pa(1×10-5Torr)附近进行排气时水分最多。)。即,已凝固的水分长时间持续蒸发,或者,未凝固的水分被封闭在壁面等微小的凹部内。由此,依然存在抽真空的时间未缩短的问题。
此外,已凝固的水分还会引起颗粒的产生、异常放电、构成部件的腐蚀等以水分为原因的问题。
专利文献1:日本特开2002-249876号公报
发明内容
本发明的目的是提供一种抽真空方法和存储介质,不会引起以水分为原因的问题,能够缩短抽真空的时间。
为了达成上述目的,第一方面的抽真空方法是具有真空处理室的真空处理装置的抽真空方法,其特征在于,包括:在抽真空时,将上述真空处理室内的压力维持在大气压以下且6.7×102Pa(5Torr)以上的第一压力调整步骤。
第二方面的抽真空方法的特征在于,在第一方面所述的抽真空方法中,包括:接着上述第一压力调整步骤,将上述真空处理室内升压至比第一压力调整步骤的压力高且为大气压以下的压力的第二压力调整步骤。
第三方面的抽真空方法的特征在于,在第二方面所述的抽真空方法中,重复上述第一压力调整步骤和上述第二压力调整步骤。
第四方面的抽真空方法的特征在于,在第一~第三方面的任一方面所述的抽真空方法中,向上述真空处理室内导入加热气体或常温的不活泼气体。
第五方面的抽真空方法的特征在于,在第一~第三方面的任一方面所述的抽真空方法中,向上述真空处理室内导入水分分解气体。
第六方面的抽真空方法的特征在于,在第一~第五方面的任一方面所述的抽真空方法中,将上述真空处理室内的气氛置换为低氧分压气氛。
第七方面的抽真空方法的特征在于,在第一~第六方面的任一方面所述的抽真空方法中,加热上述真空处理室的壁面和构成部件的表面。
第八方面的抽真空方法的特征在于,在第一~第七方面的任一方面所述的抽真空方法中,配置低温泵,使得能够对上述真空处理室内抽真空,接着上述第一压力调整步骤继续抽真空,在上述真空处理室内减压为1.3×10Pa(0.1Torr)以下之后,上述低温泵运行。
第九方面的抽真空方法的特征在于,在第一~第七方面的任一方面所述的抽真空方法中,接着上述第一压力调整步骤继续抽真空,在上述真空处理室内减压为1.3×10-2Pa(0.1mTorr)以下之后,重复下述步骤:对上述真空处理室内抽真空并向该真空处理室内导入不活泼气体的第三压力调整步骤,和对上述真空处理室内的上述不活泼气体进行排气,使上述真空处理室内减压为1.3×10-2Pa(0.1mTorr)以下的第四压力调整步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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