[发明专利]抽真空方法和存储介质有效
| 申请号： | 200810099893.4 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101320676A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 山涌纯;守屋刚;药师寺秀明;阿部和正 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 方法 存储 介质 | ||
1.一种抽真空方法，其是具有真空处理室的真空处理装置的抽真空方法，其特征在于，包括：
在抽真空时，将所述真空处理室内的压力维持在大气压以下且6.7×102Pa(5Torr)以上的第一压力调整步骤；和
接着所述第一压力调整步骤，将所述真空处理室内升压为比所述第一压力调整步骤的压力高且在大气压以下的压力的第二压力调整步骤，
重复所述第一压力调整步骤和所述第二压力调整步骤。
2.如权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于：
向所述真空处理室内导入加热气体或常温的不活泼气体。
3.如权利要求1所述的抽真空方法，其特征在于：
向所述真空处理室内导入水分分解气体。
4.如权利要求1～3中任一项所述的抽真空方法，其特征在于：
将所述真空处理室内的气氛置换为低氧分压气氛。
5.如权利要求1～3中任一项所述的抽真空方法，其特征在于：
加热所述真空处理室的壁面和构成部件的表面。
6.如权利要求1～3中任一项所述的抽真空方法，其特征在于：
配置低温泵，使得能够对所述真空处理室内抽真空，
继续抽真空，在所述真空处理室内减压为1.3×10Pa(0.1Torr)以下之后，所述低温泵运行。
7.如权利要求1～3中任一项所述的抽真空方法，其特征在于：
继续抽真空，在所述真空处理室内被减压为1.3×10-2Pa(0.1mTorr)以下之后，重复下述步骤：
对所述真空处理室内抽真空、并向该真空处理室内导入不活泼气体的第三压力调整步骤；和
对所述真空处理室内的所述不活泼气体进行排气，使所述真空处理室内减压为1.3×10-2Pa(0.1mTorr)以下的第四压力调整步骤。
8.一种抽真空方法，其是具有真空处理室的真空处理装置的抽真空方法，其特征在于，包括：
不使所述真空处理室内的水分凝固而对所述真空处理室内进行减压的减压步骤；和
在所述真空处理室内进行绝热压缩的升压步骤，
重复所述减压步骤和所述升压步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
