[发明专利]叠层陶瓷电子部件有效

专利信息
申请号: 200810099875.6 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN101320624A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 铃木宏始 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30;H05K3/46
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子 部件
【权利要求书】:

1.一种叠层陶瓷电子部件,包括:

陶瓷烧结体,其叠层有多个陶瓷层,且具有相互对置的第1侧面以及第2侧面、和相互对置的第1端面以及第2端面;

含Ni的第1内部电极,其形成在所述陶瓷烧结体内部,并从所述第1端面引出;

含有Ni的第2内部电极,其按照经由特定的所述陶瓷层与所述第1内部电极对置的方式形成在所述陶瓷烧结体内部,并从所述第2端面引出;

第1外部端子电极,其形成在所述陶瓷烧结体的所述第1端面上,并与所述第1内部电极电连接;以及

第2外部端子电极,其形成在所述陶瓷烧结体的所述第2端面上,与所述第2内部电极电连接,并连接在与所述第1外部端子电极不同的电位上,

所述陶瓷烧结体,包含:

有效层部,其被所述陶瓷层中的所述第1内部电极以及所述第2内部电极夹持,并有助于电容形成;以及

侧面侧间隙部,其存在于所述第1、第2内部电极的侧部与所述陶瓷烧结体的第1、第2侧面之间、以及所述有效层部的侧部与所述陶瓷烧结体的第1、第2侧面之间,

所述侧面侧间隙部中的至少与所述第1、第2内部电极邻接的区域被设置成Mg浓度比所述有效层部高的富含Mg的区域。

2.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电子部件,其特征在于,

所述侧面侧间隙部中的位于与所述第1、第2内部电极分别相同高度的区域被设置成所述富含Mg的区域。

3.根据权利要求1所述的叠层陶瓷电子部件,其特征在于,

所述侧面侧间隙部整体被设置成所述富含Mg的区域。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的叠层陶瓷电子部件,其特征在于,

所述陶瓷烧结体含有端面侧间隙部,该端面侧间隙部存在于所述第1、第2内部电极的端部与所述陶瓷烧结体的第1、第2端面之间、以及所述有效层部的端部与所述陶瓷烧结体的第1或第2端面之间,

所述端面侧间隙部中的至少与所述第1、第2内部电极邻接的区域被设置成Mg浓度比所述有效层部高的富含Mg的区域。

5.根据权利要求1~3中任意一项所述的叠层陶瓷电子部件,其特征在于,

比所述第1、第2内部电极中的最外层内部电极更靠近外侧的陶瓷层在所述侧面侧间隙部的垂直投影区域以及在所述端面侧间隙部的垂直投影区域的至少一方被设置成Mg浓度比所述有效层部高的富含Mg的区域。

6.根据权利要求1~3中任意一项所述的叠层陶瓷电子部件,其特征在于,

使相对于构成所述富含Mg的区域的陶瓷材料的主成分100mol%的Mg添加比例,比相对于构成所述有效层部的陶瓷材料的主成分100mol%的Mg添加比例多0.5~1.0mol%。

7.根据权利要求1~3中任意一项所述的叠层陶瓷电子部件,其特征在于,

在所述富含Mg的区域中具有Mg浓度从陶瓷烧结体的外侧向内侧降低这样的浓度梯度。

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