[发明专利]硅膜的干刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及硅膜的干刻蚀方法。

背景技术

例如，以往的薄膜晶体管有逆交错型的薄膜晶体管(例如，参照专利文献1)。在该薄膜晶体管中，在基板的上表面设有栅电极。在包含栅电极在内的基板的上表面设有栅绝缘膜。在栅电极上的栅绝缘膜的上表面设有由本征非晶硅构成的半导体薄膜。在半导体薄膜的上表面两侧设有由n型非晶硅构成的欧姆接触层。在各欧姆接触层的上表面设有源电极及漏电极。

专利文献1：日本特开2007-79342号公报(图5)

可是，在上述以往的薄膜晶体管中的欧姆接触层及半导体薄膜的形成方法中，对形成在栅绝缘膜的上表面的本征非晶硅膜(半导体薄膜形成用膜)及n型非晶硅膜(欧姆接触层形成用膜)连续地进行干刻蚀。在此种情况下，作为刻蚀气体采用SF₆(六氟化硫)气体(专利文献1的第130段)。

作为这样的干刻蚀方法所使用的刻蚀气体的SF₆近年来作为地球变暖的一个因素而被视为问题，因此取代其的代替气体的选择成为重要的课题。

发明内容

因此，本发明的主要目的是，提供一种不采用SF₆等成为地球变暖的一个因素的气体，也能良好地对非晶硅等硅膜进行干刻蚀的硅膜的干刻蚀方法。

本发明的优选的方案是硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，通过采用含有氟气(fluorine gas)及氯气(chlorine gas)的混合气体的平行平板型的干刻蚀来对硅膜进行干刻蚀。

另外，本发明的优选的方案之一是硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，准备在基板上层叠有硅膜的被加工物；将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内，将所述被加工物的基板载置在所述高频电极或对置电极中的任何一方上；将所述干刻蚀装置减压，向所述干刻蚀装置内导入氟气及氯气；对所述高频电极施加高频，从而刻蚀所述硅膜。

附图说明

图1是利用包含本发明的干刻蚀方法的制造方法来制造的薄膜晶体管面板的一个例子的剖视图。

图2是在图1所示的薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子中最初的工序的剖视图。

图3是继图2之后的工序的剖视图。

图4是继图3之后的工序的剖视图。

图5是继图4之后的工序的剖视图。

图6是继图5之后的工序的剖视图。

图7是干刻蚀装置的一个例子的概略构成图。

图8是干刻蚀装置的另一个例子的概略构成图。

图9是用于说明晶体管特性的图示。

具体实施方式

图1是利用包含本发明的干刻蚀方法的制造方法来制造的薄膜晶体管面板的一个例子的剖视图。该薄膜晶体管面板具备玻璃基板1。在玻璃基板1的上表面的规定部位上设有由铬等构成的栅电极2。在包含栅电极2在内的玻璃基板1的上表面设有由氮化硅构成的栅绝缘膜3。

在栅电极2上的栅绝缘膜3的上表面的规定部位上设有由本征非晶硅构成的半导体薄膜4。在半导体薄膜4的上表面的规定部位上设有由氮化硅构成的沟道保护膜5。在沟道保护膜5的上表面两侧及其两侧的半导体薄膜4的上表面设有由n型非晶硅构成的欧姆接触层6、7。在欧姆接触层6、7的各自上表面设有由铬等构成的源电极8及漏电极9。

此处，通过栅电极2、栅绝缘膜3、半导体薄膜4、沟道保护膜5、欧姆接触层6、7、源电极8及漏电极9来构成逆交错型、沟道保护膜型的薄膜晶体管10。

在包含薄膜晶体管10在内的栅绝缘膜3的上表面设有由氮化硅构成的罩面涂膜11。在与源电极8的规定部位对应的部分上的罩面涂膜11上设有接触孔12。在罩面涂膜11的上表面的规定部位上设有由ITO构成的像素电极13，其经由接触孔12与源电极8连接。

接着，对该薄膜晶体管面板的制造方法的一个例子进行说明。首先，如图2所示，在玻璃基板1的上表面的规定部位，通过用光刻蚀法对由溅射法形成的由铬等构成的金属膜进行布图加工(patterning)，从而形成栅电极2。

接着，在包含栅电极2在内的玻璃基板1的上表面上，利用等离子体CVD法连续地形成由氮化硅构成的栅绝缘膜3、本征非晶硅膜(半导体薄膜形成用膜)21及氮化硅膜(沟道保护膜形成用膜)22。接着，在氮化硅膜22的上表面的沟道保护膜形成区域，通过用光刻蚀法对用印刷法等涂布形成的抗蚀剂膜进行布图加工，从而形成抗蚀剂膜23。