[发明专利]硅膜的干刻蚀方法无效
| 申请号： | 200810099856.3 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315889A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 登坂久雄 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1、一种硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，通过采用含有氟气及氯气的混合气体的平行平板型的干刻蚀来对硅膜进行干刻蚀。
2、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述干刻蚀是利用阴极耦合的干刻蚀。
3、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述干刻蚀是利用阳极耦合的干刻蚀。
4、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述硅膜形成在氮化硅膜上。
5、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述混合气体还含有惰性气体。
6、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氯气与所述氟气的流量比为1～10。
7、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氯气与所述氟气的流量比为1～20。
8、根据权利要求1所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述干刻蚀在1～100Pa的真空气氛下进行。
9、一种硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，其包括以下工序：
准备在基板上层叠有硅膜的被加工物；
将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内，将所述被加工物的基板载置在所述高频电极或对置电极中的任何一方上；
将所述干刻蚀装置减压，向所述干刻蚀装置内导入氟气及氯气；
对所述高频电极施加高频，从而刻蚀所述硅膜。
10、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，准备在基板上层叠有硅膜的被加工物的工序包括：在所述基板上形成氮化硅膜，在所述氮化硅膜上形成由所述硅膜构成的被加工物。
11、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀是利用阴极耦合的干刻蚀。
12、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀是利用阳极耦合的干刻蚀。
13、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氟气在用惰性气体稀释后使用。
14、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氯气与所述氟气的流量比为1～10。
15、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述氯气与所述氟气的流量比为1～20。
16、根据权利要求9所述的硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀在1～100Pa的真空气氛下进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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