[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种在基材上形成穿导孔的方法，详言之，是关于一种利用聚合物在基材上穿导孔的侧壁形成绝缘层的方法。

背景技术

参考图1至图3，显示习知在基材上形成穿导孔的方法的示意图。首先，参考图1，提供一基材1，该基材1具有一第一表面11及一第二表面12。接着，于该基材1的第一表面11上形成数个沟槽13。接着，利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)形成一绝缘层14于所述沟槽13的侧壁，且形成数个容置空间15。该绝缘层14的材质通常为二氧化硅。

接着，参考图2，填入一导电金属16于所述容置空间15内。该导电金属的材质通常为铜。最后，研磨或蚀刻该基材1的第一表面11及第二表面12，以显露该导电金属16，如图3所示。

在该习知的方法中，由于该绝缘层14是利用化学气相沉积法所形成，因此该绝缘层14在所述沟槽13的侧壁的厚度会有先天上的限制，通常小于0.5μm。此外，该绝缘层14在所述沟槽13的侧壁的厚度会有不均匀的问题，亦即，位于所述沟槽13上方侧壁上的绝缘层14的厚度与位于所述沟槽13下方侧壁上的绝缘层14的厚度并不会完全一致。因而造成电容不一致的情况。

因此，有必要提供一种创新且具进步性的在基材上形成穿导孔的方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种在基材上形成穿导孔的方法，包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一开槽于该基板；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。

在本发明中，可以在该容置空间内形成较厚的绝缘材料。再者，该绝缘材料在该容置空间内并不会有厚度不均匀的问题。此外，本发明可以利用聚合物作为绝缘材料，因而可以针对特定的制程选用不同的聚合物材质。

附图说明

图1至图3显示习知在基材上形成穿导孔的方法的示意图；

图4至图19显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第一实施例的示意图；及

图20至图27显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第二实施例的示意图。

具体实施方式

参考图4至图19，显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第一实施例的示意图。参考图4及图5，其中图4为基材的俯视图，图5为图4中沿着线5-5的剖面图。首先，提供一基材2，该基材2具有一第一表面21及一第二表面22。该基材2举例而言，为一硅基材或一晶片。接着，形成一第一光阻层23于该基材2的第一表面21，且于该光阻层23上形成一第一开口231。在本实施例中，该第一开口231以俯视观的为圆形。可以理解的是，该第一开口231以俯视观的也可以是方形。

接着，参考图6，以蚀刻或其它方式根据该第一开口231于该基材2上形成一开槽24，且该开槽24并未贯穿该基材2。之后，移除该第一光阻层23。接着，参考图7，填入一导电金属25于该开槽24内。在本实施例中，该导电金属25的材质为铜，其是利用电镀方式填入于该开槽24内，且该导电金属25是填满该开槽24。然而可以理解的是，该导电金属25也可以不填满该开槽24，而形成一中心槽26，亦即该导电金属25仅形成于该开槽24的侧壁上，如图8所示。