[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法

权利要求书

1.一种在基材上形成穿导孔的方法，包括：

(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；

(b)形成一开槽于该基板；

(c)填入一导电金属于该开槽内；

(d)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间；

(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及

(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该基材为一晶片。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)包括

(b1)形成一第一光阻层于该基材的第一表面；

(b2)于该第一光阻层上形成第一开口；及

(b3)根据该第一开口于该基材上形成该开槽。

4.如权利要求3的方法，其中该步骤(b3)之后更包括一移除该第一光阻层的步骤。

5.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)中，该开槽并未贯穿该基材。

6.如权利要求1的方法，其中该步骤(c)中该导电金属是填满该开槽。

7.如权利要求1的方法，其中该步骤(c)中该导电金属是不填满该开槽，而形成一中心槽，且在步骤(e)中该绝缘材料是填满该容置空间及该中心槽。

8.如权利要求1的方法，其中该步骤(c)之后更包括一移除位于该开槽之外的导电金属的步骤。

9.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)包括：

(d1)形成第二光阻层于该基材的第一表面上；

(d2)于该第二光阻层上形成第二开口，该第二开口的位置是相对于该开槽的位置且该第二开口大于该开槽；及

(d3)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间。

10.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)包括：

(d1)形成第二光阻层于该基材的第二表面上；

(d2)于该第二光阻层上形成第二开口，该第二开口的位置是相对于该开槽的位置且该第二开口大于该开槽；及

(d3)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间。

11.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)中该绝缘材料为聚合物(Polymer)。

12.如权利要求11的方法，其中该步骤(e)包括：

(e1)均布该聚合物于该容置空间的相对位置；及

(e2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该容置空间内。

13.如权利要求11的方法，其中该步骤(e)包括：

(e1)形成数个排气孔，以连通该容置空间至该基材的第二表面；

(e2)均布该聚合物于该容置空间的相对位置；及

(e3)填入该聚合物至该容置空间及所述排气孔内。

14.如权利要求11的方法，其中该步骤(e)是以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物雾化且沈积于该容置空间内。

15.如权利要求1的方法，其中该步骤(f)更包括以蚀刻或研磨去除部分该基材的第一表面。

16.如权利要求1的方法，其中该步骤(f)是蚀刻或研磨该基材的第二表面。