[发明专利]磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种应用于硬盘驱动器及其他设备的磁记录介质、用于制造该磁记录介质的方法，以及包括该磁记录介质的磁记录设备。

背景技术

日本特开专利第2001-155321号及第2005-353256号公报中披露了涉及磁记录介质、制造该种介质的方法以及磁记录设备的技术的实例。

随着磁记录设备的存储量的增加，设置于磁记录设备内部的磁记录介质的面记录密度也随之增加。磁记录设备的记录方法主要划分为纵向记录法及垂直磁记录法。由于受记录磁场的增加的影响以及由于热波动而使记录位消失，人们认为纵向记录法中的记录密度接近于它的极限值。相反地，由于记录位在高记录密度下在理论上是稳定的，因此垂直磁记录法正在应用于实际使用中。

最近提出的垂直磁记录介质包括作为记录层一部分的所谓的粒状层，以用于降低噪音。在粒状层中，磁性粒子通过例如氧化物或氮化物的非磁性绝缘体彼此分开。为实现抵抗热波动并获得可写性，提出的另一种垂直磁记录介质包括与粒状层磁性耦合的层，该层具有的各向异性磁场Hk小于粒状层的各向异性磁场，并且矫顽力附近的标准化磁化曲线的斜率α大于粒状层的标准化磁化曲线的斜率α。此处使用的术语“标准化磁化曲线”指的是标准化为饱和磁化强度的磁化曲线。

近来，还需要更高的S/N的比值。然而，很难通过现有的技术来获得满意的高S/N的比值。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种具有高矫顽力及低噪音的磁记录介质，用于制造该磁记录介质的方法，以及包括该磁记录介质的磁记录设备。

根据本实施例的一方面，磁记录介质包括基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物；以及形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。

附图说明

图1为根据一实施例的垂直磁记录介质的截面图；

图2为说明如何使用根据一实施例的垂直磁记录介质的示意图；

图3为硬盘驱动器(HDD)的内部结构的示意图；

图4为矫顽力的图表；

图5为矫顽力附近的标准化磁化曲线的斜率的图表；

图6为S/N的比值的图表；

图7为低频再现输出量(reproduction output)的图表；

图8为写入磁芯宽度的图表；及

图9为可写性(writability)的图表。

具体实施方式

以下将参照附图详细地说明实施例。图1为根据一实施例的垂直磁记录介质的截面图。

如图1所示，第一软磁性层1、非磁性分隔层(nonmagnetic separatinglayer)2以及第二软磁性层3依次设置于平圆形(discoidal)的非磁性基板10上。第一软磁性层1、非磁性分隔层2以及第二软磁性层3构成软衬层11。

非磁性基板10的实例包括塑料基板、微晶玻璃基板、钢化玻璃基板、硅基板以及铝合金基板。

第一软磁性层1和第二软磁性层3可具有包含Fe、Co和/或Ni的非晶或微晶结构。该结构还可包含W、Hf、C、Cr、B、Cu、Ti、V、Nb、Zr、Pt、Pd和/或Ta。第一软磁性层1和第二软磁性层3的实例包括FeCoNbZr层、CoZrNb层、CoNbTa层、FeCoZrNb层、FeCoZrTa层、FeCoB层、FeCoCrB层、NiFeSiB层、FeAlSi层、FeTaC层、FeHfC层、以及NiFe层，每层具有非晶或微晶结构。特别地，考虑到记录磁场的集中(concentration)，第一软磁性层1和第二软磁性层3优选为饱和磁化强度Bs至少为1.0T的软磁性材料层。第一软磁性层1以及第二软磁性层3通过电镀、DC溅射、RF溅射、脉冲DC溅射、气相沉积或化学气相沉积(CVD)方法形成。在DC溅射中，室(chamber)内可具有约为0.5Pa压力的Ar气氛，且可施加约为1kW的电功率。第一软磁性层1和第二软磁性层3的厚度可在10-100nm范围内，优选地在30-60nm范围内。第一软磁性层1和第二软磁性层3的厚度在这些下限以下可能具有不佳的读写特性。此外，第一软磁性层1和第二软磁性层3的厚度在这些上限以上可能导致大规模生产的设备的规模的增加或成本的大量增加。