[发明专利]磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备

权利要求书

1.一种磁记录介质，其包括：

基板；

第一粒状层，其形成于该基板之上，该第一粒状层具有：

多个第一磁性粒子和

Si氧化物，其使所述多个第一磁性粒子分离；以及

第二粒状层，其形成于该第一粒状层之上，该第二粒状层具有：

多个第二磁性粒子和

Ti氧化物，其使所述多个第二磁性粒子分离。

2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该磁记录介质还包括：形成于所述第二粒状层之上的磁性层。

3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第二粒状层的厚度与饱和磁化强度的乘积比所述第一粒状层的厚度与饱和磁化强度的乘积大。

4.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，比例t₁Ms₁/(t₁Ms₁+t₂Ms₂)为0.1至0.3，其中，t₁Ms₁为该第一粒状层的厚度t₁与该第一粒状层的饱和磁化强度Ms₁的乘积，t₂Ms₂为该第二粒状层的厚度t₂与该第二粒状层的饱和磁化强度Ms₂的乘积。

5.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该磁记录介质还包括：

复合粒状层，其具有该第一粒状层及该第二粒状层；

其中，该复合粒状层的各向异性磁场比该磁性层的各向异性磁场大，且在该复合粒状层的标准化磁化曲线中的矫顽力处的斜率比该磁性层的标准化磁化曲线中的矫顽力处的斜率小。

6.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第一磁性粒子包含Co-Cr-Pt合金。

7.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第二磁性粒子由包含选自Pt、B、Cu和Ta构成的群组的至少其中之一的Co-Cr合金组成。

8.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该磁记录介质还包括：

软衬层，其位于该基板与该第一粒状层之间；

记录层，其包括该第一粒状层、该第二粒状层和该磁性层；以及

非磁性衬层，用以将该软衬层与该记录层磁性地分离。

9.如权利要求8所述的磁记录介质，其中，该非磁性层包含Ru。

10.如权利要求8所述的磁记录介质，其中，该软衬层包含选自Fe、Co及Ni构成的群组的至少其中之一，并且还包含选自W、Hf、C、Cr、B、Cu、Ti、V、Nb、Zr、Pt、Pd、及Ta构成的群组至少其中之一。

11.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该磁性层的厚度为2-12nm。

12.一种用于制造磁记录介质的方法，包括：

在基板之上形成第一粒状层，该第一粒状层包括多个第一磁性粒子以及使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物；及

在该第一粒状层之上形成第二粒状层，该第二粒状层包括多个第二磁性粒子以及使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。

13.如权利要求12所述的方法，其中，该方法还包括：在该第二粒状层之上形成磁性层。

14.如权利要求12所述的方法，其中，该第二粒状层的厚度与饱和磁化强度的乘积比第一粒状层的厚度与饱和磁化强度的乘积大。

15.如权利要求12所述的方法，其中，比例t₁Ms₁/(t₁Ms₁+t₂Ms₂)为0.1至0.3，其中，t₁Ms₁为该第一粒状层的厚度t₁与该第一粒状层的饱和磁化强度Ms₁的乘积，t₂Ms₂为该第二粒状层的厚度t₂与该第二粒状层的饱和磁化强度Ms₂的乘积。