[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号: | 200810098982.7 | 申请日: | 2008-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN101312121A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
| 发明(设计)人: | 中田胜利;村田贵;田中幸雄;柏井俊彦 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/311;C23F1/08 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及具备贮存含有表面活性剂的处理液的贮存槽、利用所述处理液处理基板的处理机构、和使处理液在所述贮存槽和处理机构之间循环的处理液循环机构的基板处理装置。
背景技术
在制造所谓的半导体(硅)晶片、液晶玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板的各种基板的工序中,有向这些基板供给所谓的蚀刻液或显影液、清洗液的各种处理液,处理基板的工序。
例如,使用了蚀刻液的处理(蚀刻处理)通过蚀刻装置实施,该蚀刻装置具备:贮存蚀刻液的贮存槽;蚀刻基板的基板处理机构;向基板处理机构供给贮存槽内的蚀刻液,将供给的蚀刻液从该基板处理机构回收,使蚀刻液在贮存槽和基板处理机构之间循环的蚀刻处理用循环机构(参照特开2000-96264号公报)。
所述基板处理机构包括:具备闭塞空间的处理腔室;配设于处理腔室内,且将基板水平输送的多个输送辊;配设于处理腔室内,且朝向基板的上表面喷出蚀刻液的多个喷嘴体,所述蚀刻处理用循环机构包括:连接贮存槽和各喷嘴体的供给管、经由供给管向各喷嘴体供给蚀刻液的供给泵、和连接处理腔室的底部和贮存槽的回收管。
还有,在该蚀刻装置中,朝向利用输送辊在规定方向上被输送的基板的上表面,将利用供给泵经由供给管向各喷嘴体供给的贮存槽内的蚀刻液从这些各喷嘴体喷出,利用所述蚀刻液蚀刻基板。还有,喷出在基板的上表面的蚀刻液通过回收管从处理腔室内回收于贮存槽内。
然而,例如,若对形成于基板的上表面的氧化铟锡膜等金属膜进行蚀刻,则构成该金属膜的所谓铟或锡的金属溶解于蚀刻液中,因此,使蚀刻液在贮存槽和基板处理机构之间循环地构成的所述蚀刻装置中,贮存槽内蚀刻液中含有的金属成分逐渐增加,导致不能有效实施蚀刻处理的问题、或得不到精度良好的蚀刻形状的问题。
从而,在所述蚀刻装置中,不得不定期更换贮存槽内的蚀刻液,由于更换蚀刻液的费用(更换的蚀刻液的废弃处理费用或更换的蚀刻液的购入费用)而导致处理成本上升。
因此,本案申请人提出了除去蚀刻液中的金属成分,并能够将该蚀刻液再生的蚀刻装置(特愿2007-101392号)。该蚀刻装置除了上述蚀刻装置的结构之外,还具备:吸附蚀刻液中的金属离子的螯合物材料填充于内部的吸附塔;将贮存槽内的蚀刻液供给于吸附塔内使其流通,并且将流通的蚀刻液从该吸附塔回收,使蚀刻液在贮存槽和吸附塔之间循环的除去处理用循环机构。
还有,该本案申请人提出的蚀刻装置中,通过利用除去处理用循环机构使蚀刻液在贮存槽和吸附塔之间循环,利用吸附塔的螯合物材料吸附蚀刻液中的金属离子(溶解于蚀刻液的金属),将其除去,因此,防止上述问题。
【专利文献1】特开2000-96264号公报
然而,在上述本案申请人提出的蚀刻装置中,也存在以下所述的问题。即,所述蚀刻液中添加有用于防止蚀刻后产生残渣的表面活性剂,在这种情况下,若将贮存槽内的蚀刻液供给于吸附塔,则该表面活性剂与金属成分一同吸附于螯合物材料上,含于蚀刻液的表面活性剂的浓度降低。还有,若表面活性剂的浓度低于一定的基准浓度,则不能防止残渣的产生。
发明内容
本发明是鉴于以上的情况而做成的,其目的在于提供能够防止由于处理液的再生而含于处理液的表面活性剂的浓度降低的情况的基板处理装置。
用于实现上述目的的本发明是一种基板处理装置,具备:贮存槽,其贮存含有表面活性剂的处理液;处理机构,其利用所述处理液处理基板;第一处理液循环机构,其将贮存于所述贮存槽中的处理液供给于所述处理机构,将供给的处理液从该处理机构回收于所述贮存槽,使处理液在所述贮存槽和处理机构之间循环,所述基板处理装置的特征在于,具备:
吸附容器,其在内部填充有吸附由于所述处理机构进行的基板处理而含于所述处理液中的金属离子的吸附材料;
第二处理液循环机构,其将贮存于所述贮存槽的处理液供给于所述吸附容器内,使该处理液流通,并且,将流通的处理液从该吸附容器回收于所述贮存槽,使处理液在所述贮存槽和吸附容器之间循环;
供给机构,其向贮存于所述贮存槽的处理液或从所述吸附容器回收于所述贮存槽的处理液供给所述表面活性剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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