[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号: | 200810098982.7 | 申请日: | 2008-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN101312121A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
| 发明(设计)人: | 中田胜利;村田贵;田中幸雄;柏井俊彦 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/311;C23F1/08 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其具备:贮存槽,其贮存含有表面活性剂的处理液;处理机构,其利用所述处理液来处理基板;第一处理液循环机构,其将贮存于所述贮存槽中的处理液供给于所述处理机构,并将供给的处理液从该处理机构回收于所述贮存槽,从而使处理液在所述贮存槽和处理机构之间循环,所述基板处理装置的特征在于,具备:
吸附容器,其在内部填充有吸附材料,该吸附材料对所述处理机构中的由基板处理而含于所述处理液中的金属离子进行吸附;
第二处理液循环机构,其将贮存于所述贮存槽的处理液供给于所述吸附容器内,使该处理液流通,并且将流通后的处理液从该吸附容器回收于所述贮存槽,从而使处理液在所述贮存槽和吸附容器之间循环;
供给机构,其向贮存于所述贮存槽的处理液或从所述吸附容器回收于所述贮存槽的处理液供给所述表面活性剂。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
具备至少两个所述吸附容器,并且具备控制所述第二处理液循环机构的运转的控制机构,
所述第二处理液循环机构具有:处理液供给管,其用于将所述贮存槽内的处理液供给于所述各吸附容器;处理液回收管,其用于将在所述各吸附容器内流通的处理液回收于所述贮存槽内;第一切换阀,其设置于所述处理液供给管,并控制所述处理液向所述各吸附容器的供给,并且
利用所述第一切换阀选择性地向所述各吸附容器的任一个供给所述处理液,并使所述处理液循环,
所述控制机构构成为,进行所述第一切换阀的切换控制。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备:洗提液供给机构,该洗提液供给机构具有:洗提液供给管,其用于将洗提液供给该各吸附容器,该洗提液洗提在所述各吸附容器的吸附材料上吸附的金属;第二切换阀,其设置于所述洗提液供给管,并控制所述洗提液向所述各吸附容器的供给,并且利用所述第二切换阀选择性地对所述各吸附容器的任一个供给所述洗提液;
洗提液回收机构,其回收在所述各吸附容器内流通的洗提液,
所述控制机构构成为:当切换所述第一切换阀时,控制所述第二切换阀,向处于所述处理液的供给被停止且所述吸附材料吸附了金属离子的状态的吸附容器供给所述洗提液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备:
清洗液供给机构,该清洗液供给机构具有:清洗液供给管,其用于将清洗所述各吸附容器的内部的清洗液供给于该各吸附容器;第三切换阀,其设置于所述清洗液供给管,且控制所述清洗液向所述各吸附容器的供给,并且利用所述第三切换阀选择性地对所述各吸附容器的任一个供给所述清洗液;
清洗液排出管,其用于将在所述各吸附容器内流通后的清洗液向外部排出,
所述控制机构构成为,当结束所述洗提液的供给时,控制所述第三切换阀,将所述清洗液供给于洗提液供给后的吸附容器。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制机构构成为,以预先设定的时间间隔切换所述第一切换阀。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制机构构成为,对由所述处理机构处理的基板的片数进行计数,在计数的片数达到预先设定的片数时,切换所述第一切换阀。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备:第一检测机构,其检测贮存于所述贮存槽的处理液中含有的金属离子的浓度,
所述控制机构构成为,在由所述第一检测机构检测的浓度高于预先设定的基准值时,切换所述第一切换阀。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备:第二检测机构,其检测贮存于所述贮存槽的处理液中含有的表面活性剂的浓度;
控制机构,其基于由所述第二检测机构检测的浓度,控制所述供给机构的运转,使所述处理液中含有的表面活性剂的浓度成为预先设定的浓度。
9.根据权利要求2~7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
还具备:第二检测机构,其检测贮存于所述贮存槽的处理液中含有的表面活性剂的浓度,
所述控制机构基于由所述第二检测机构检测的浓度,控制所述供给机构的运转,使所述处理液中含有的表面活性剂的浓度成为预先设定的浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





