[发明专利]具有导热结构的电路板

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路板结构，特别是涉及一种具有导热结构的电 路板。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device) 已开发出不同的封装型态，其中球栅阵列式(Ball grid array，BGA)为一 种先进的半导体封装技术，其特点在于采用一封装基板来承载安置半 导体芯片，并于该封装基板背面形成多个栅状阵列排列的锡球(Solder ball)，以于相同单位面积中可具有更多输入/输出连接端(I/O connection)，以符合高度集成化(Integration)的半导体芯片所需，并通过 所述锡球以电性连接至外部的电子装置。

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品亦逐渐迈入多功能、高性能 的研发方向。为满足半导体封装件高集成度(Integration)以及微型化 (Miniaturization)的封装需求，半导体芯片于运行时所产生的热量将明 显增加，若无法将半导体芯片产生的热量及时有效逸散，将严重降低 半导体芯片的性能及缩短其寿命。

如图1所示，为现有电路板接置半导体元件的剖面结构示意图， 提供一具有第一表面100a及第二表面100b的承载板100，该承载板 100为具有线路的电路板，于该第一表面100a及第二表面100b分别具 有一第一介电层11a及第二介电层11b，于该第一及第二介电层11a、 11b表面分别形成有一第一及第二线路层12a、12b，该第一线路层12a 具有第一电性连接垫121a及第二电性连接垫122a，又该第二线路层 12b具有第三电性连接垫121b，于该承载板100、第一及第二介电层 11a、11b中形成至少一电镀导通孔(plating through hole，PTH)13以电性 连接该第一及第二线路层12a、12b，并于该第一及第二介电层11a、11b 及第一及第二线路层12a、12b表面形成有绝缘保护层14，且于该绝缘 保护层14中形成有绝缘保护层开口140、141以露出该第一、第二电 性连接垫121a、122a及第三电性连接垫121b，并于该第一、第二及第 三电性连接垫121a、121b表面形成有如镍/金(先镀镍再镀金)的金属保 护层16，并于该第一及第三电性连接垫121a、121b表面的金属保护层 16形成一如锡球的导电元件15以供电性连接其它电子装置，又于该承 载板100的第一表面100a的绝缘保护层14接置有一半导体元件17， 该半导体元件17具有一有源面17a及相对的非有源面17b，于该半导 体元件17的有源面17a具有多个电极垫171，且该半导体元件17以其 非有源面17b接置于该承载板100的第一表面100a，另该绝缘保护层 14中的绝缘保护层开口141并露出披覆有金属保护层16的第二电性连 接垫122a，于该金属保护层16表面是以一例如金属导线的第二导电元 件18电性连接该半导体元件17的电极垫171与第二电性连接垫122a， 而后再形成一封装胶体19覆盖于打线完成的第二导电元件18及半导 体元件17表面，以保护该第二导电元件18及半导体元件17。

但是，该半导体元件17位于该第一介电层11a表面上，使该封装 后的半导体元件17运行时产生的热能无法有效散逸，尤其是该半导体 元件17的非有源面17b接置于几乎无法散热的绝缘保护层14的表面， 导致该半导体元件17极易损坏。

如图2A所示，为另一现有电路板接置半导体元件的剖面结构示意 图，是提供一例如图1所示的承载板100，于该第一表面100a的第一 介电层11a中形成有一开口110a以露出该承载板100的表面，又该第 一介电层11a表面上的绝缘保护层14形成有绝缘保护层开口142以露 出该第一介电层11a表面的第一线路层12a的第二电性连接垫122a及 该第一介电层11a的开口110a，其中该第二电性连接垫122a表面形成 该金属保护层16，该半导体元件17的非有源面17b接置于该开口110a 中的承载板100表面，且该半导体元件17的有源面17a的电极垫171 以该第二导电元件18电性连接该第二电性连接垫122a表面的金属保 护层16，并以该封装胶体19覆盖于打线完成的第二导电元件18及半 导体元件17表面，以保护该第二导电元件18及半导体元件17。从而 通过该半导体元件17接置于该开口110a中以降低半导体封装结构的 整体厚度。