[发明专利]利用间隔物掩模的频率加倍

权利要求书

1.一种用于制造半导体掩模的方法，包括：

提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层，其中所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线；以及

在修剪所述间隔物掩模之后，去除所述牺牲掩模。

2.如权利要求1所述的方法，其中，间隔物线的频率是所述牺牲掩模的所述一系列线的频率的两倍。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲掩模的所述一系列线的节距为大致4。

4.一种用于制造半导体掩模的方法，包括：

提供具有由一系列线构成的牺牲掩模的半导体叠层；

在所述半导体叠层上方并且与所述牺牲掩模共形地沉积间隔物层；

刻蚀所述间隔物层，以提供间隔物掩模并暴露所述牺牲掩模的顶表面，其中所述间隔物掩模具有与所述牺牲掩模的所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线；

在所述间隔物掩模和所述牺牲掩模上方沉积并图案化光刻胶层，以暴露所述间隔物掩模的一部分；

刻蚀所述间隔物掩模的所述暴露部分，以修剪所述间隔物掩模；以及

在刻蚀所述间隔物掩模之后，去除所述牺牲掩模以提供经修剪的间隔物掩模。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述间隔物层基本由硅构成，所述牺牲掩模的顶部基本由选自氮化硅和氧化硅的材料构成，并且刻蚀所述间隔物层以提供所述间隔物掩模包括利用采用选自Cl₂和HBr的气体的干法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的方法，其中，去除所述牺牲掩模以提供所述经修剪的间隔物掩模包括利用选自热H₃PO₄湿法刻蚀、含水氢氟酸湿法刻蚀和SiCoNi刻蚀的刻蚀工艺。

7.如权利要求4所述的方法，其中，所述间隔物层基本由氧化硅构成，所述牺牲掩模的顶部基本由选自氮化硅和硅的材料构成，并且刻蚀所述间隔物层以提供所述间隔物掩模包括利用采用选自C₄F₈和CHF₃的气体的干法刻蚀工艺。

8.如权利要求7所述的方法，其中，去除所述牺牲掩模以提供所述经修剪的间隔物掩模包括利用选自热H₃PO₄湿法刻蚀、SiCoNi刻蚀、Cl₂等离子体刻蚀和CF₄/O₂等离子体刻蚀的刻蚀工艺。

9.如权利要求4所述的方法，其中，所述间隔物层基本由氮化硅构成，所述牺牲掩模的顶部基本由选自氧化硅和硅的材料构成，并且刻蚀所述间隔物层以提供所述间隔物掩模包括利用采用选自CH₂F₂和CHF₃的气体的干法刻蚀工艺。

10.如权利要求9所述的方法，其中，去除所述牺牲掩模以提供所述经修剪的间隔物掩模包括利用选自含水氢氟酸湿法刻蚀、SiCoNi刻蚀、Cl₂等离子体刻蚀和CF₄/O₂等离子体刻蚀的刻蚀工艺。

11.如权利要求4所述的方法，其中，间隔物线的频率是所述牺牲掩模的所述一系列线的频率的两倍。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述牺牲掩模的所述一系列线的节距为大致4。

13.如权利要求4所述的方法，还包括：

将所述经修剪的间隔物掩模的图像转移到掩模叠层，其中所述掩模叠层处于所述半导体叠层中并处于所述牺牲掩模下方，所述掩模叠层包括无定型碳膜层。