[发明专利]一种以冷焊方式形成焊垫的方法无效
| 申请号： | 200810097179.1 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101587841A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 李明芬 | 申请（专利权）人： | 勤益股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B23K20/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冷焊 方式 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种以冷焊方式形成焊垫的方法，该方法包括以下步骤：
A、形成一芯片封装载具基材的形状；
B、在前述芯片封装载具基材的预定表面将至少一种特定金属以超声波冷焊方式进行加工处理；
C、在所述芯片封装载具基材的预定表面形成预定数目的金属焊垫。
2.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中该芯片封装载具基材为导线架。
3.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中形成焊垫的金属为铝。
4.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中形成焊垫的金属为银。
5.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中形成焊垫的金属为金。
6.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中形成焊垫的金属为锡。
7.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中该芯片封装载具基材为电路基板。
8.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中该特定金属与芯片封装载具基材为性质不同的材料。
9.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中该芯片封装载具载基材能利用两种不同特定金属在该封装载具基材预定表面形成金属焊垫。
10.如权利要求1所述的以冷焊方式形成焊垫的方法，其中步骤C为重复前述步骤B的加工处理，直到在所述芯片封装载具基材的预定表面形成预定数目的金属焊垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
