[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有高电源电压电路部和低电源电压电路部，具有利用沟槽隔离区域对所述高电源电压电路部和所述低电源电压电路部的各元件进行元件隔离的沟槽隔离结构，在所述高电源电压电路部形成至少一个阱区域和MOS型晶体管，其特征在于，

在所述阱区域的端部附近具有用于防止闭锁的载流子捕获区域，所述载流子捕获区域的深度比所述沟槽隔离区域的深度深。

2.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述高电源电压电路部包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型的第一阱以及第二导电类型的第二阱，在所述第一阱和所述第二阱的接合部，在所述第一阱和所述第二阱这两者的端部分别具有所述载流子捕获区域。

3.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述高电源电压电路部包括第一导电类型半导体衬底和第二导电类型第二阱，在所述第一导电类型半导体衬底和所述第二阱的接合部附近，在所述第一导电类型半导体衬底和所述第二阱分别具有所述载流子捕获区域。

4.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述高电源电压电路部包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，在所述第一阱和所述第二阱的接合部，只在所述第一阱的端部具有所述载流子捕获区域。

5.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述高电源电压电路部包括第一导电类型半导体衬底、第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，在所述第一阱和所述第二阱的接合部，只在所述第二阱的端部具有所述载流子捕获区域。

6.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述高电源电压电路部包括第一导电类型半导体衬底和第二导电类型的第二阱，只在所述第一导电类型半导体衬底和所述第二阱的接合部附近的所述第一导电类型半导体衬底侧具有所述载流子捕获区域。

7.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述高电源电压电路部包括第一导电类型半导体衬底和第二导电类型的第二阱，只在所述第一导电类型半导体衬底和所述第二阱的接合部附近的所述第二阱侧具有所述载流子捕获区域。

8.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于，

在所述高电源电压电路部内形成的所述载流子捕获区域，以与在所述高电源电压电路部形成的所述MOS型晶体管的源极或漏极区域相同的扩散层形成。