[发明专利]磁头分离辅助装置及利用该装置制造磁头的方法无效

专利信息
申请号: 200810096519.9 申请日: 2008-05-12
公开(公告)号: CN101582265A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 赵世兴;近藤昌弘;宁方毅;中田刚;刘成昌 申请(专利权)人: 新科实业有限公司
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 郝传鑫
地址: 中国香港新界沙田香*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要:
搜索关键词: 磁头 分离 辅助 装置 利用 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于将磁头从治具上分离并收容的磁头分离辅助装置,包括一分离托架,所述分离托架顶面形成若干以矩阵排列的磁头收容坑,每一列上的相邻磁头收容坑之间以隔墙隔开,使隔墙与磁头收容坑一一对应,其特征在于:每一隔墙构成其对应磁头收容坑内壁的一侧面为斜面,使隔墙形成上细下粗的结构,同一列上的隔墙的斜面均向同侧倾斜,而相邻两列隔墙的斜面所在的平面相互交叉,使每一行上的两相邻隔墙彼此形成该两相邻隔墙所对应两相邻磁头收容坑的侧壁。

2.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述分离托架包括上分离托架和下分离托架。

3.如权利要求2所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述上分离托架上设有若干平行沟槽,每两相邻沟槽间形成一横梁,每一横梁的顶面形成一列所述磁头收容坑,且上分离托架上所形成隔墙的斜面均同向倾斜,所述下分离托架上形成若干平行凸肋,每一凸肋的顶面形成一列所述磁头收容坑,且下分离托架上所形成隔墙的斜面均同向倾斜,但与上分离托架上的隔墙的斜面倾斜方向相反,所述下分离托架的凸肋对应插入所述上分离托架的沟槽中。

4.如权利要求3所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述下分离托架的两侧设有导向柱,引导上分离托架的沟槽对正收容下分离托架的凸肋。

5.如权利要求3所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述下分离托架的相邻凸肋间开设为贯通的狭槽。

6.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述分离托架为一体式结构。

7.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述磁头收容坑的一竖直截面大致呈三角形。

8.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述磁头收容坑的底面进一步向下凹陷一方形槽。

9.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述隔墙斜面与水平面夹角在10度到50度的范围内。

10.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述分离托架对应每一磁头收容坑开设一开口于隔墙斜面并贯穿分离托架的通孔。

11.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:所述每一行上的两相邻隔墙之间形成一间隙。

12.如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:还包括用于固定所述分离托架的分离托架支撑板,所述分离托架支撑板底部具有支撑脚。

13.如权利要求12所述的磁头分离辅助装置,其特征在于:还包括用于固定所述治具的治具支撑板,所述治具支撑板与所述分离托架支撑板上设有互相配合的套准柱与套准孔。

14.一种利用如权利要求1所述的磁头分离辅助装置制造磁头的方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将用于形成磁头的若干长形条并排粘结在一治具上;

(2)对长形条进行光学处理;

(3)直接在治具上将所有长形条切割成单独的磁头;

(4)提供如权利要求1所述的磁头分离辅助装置,并将治具置于所述分离托架的上方,使磁头与所述磁头收容坑一一对正;及

(5)将治具与磁头分离辅助装置的组合水平地沉浸在含有溶液的容器内,用所述溶液将粘结剂溶解,使磁头从所述治具脱离,并一一掉落到对应的磁头收容坑内。

15.如权利要求14所述的制造磁头的方法,其特征在于:所述溶液为含有N-甲基-2-吡咯烷酮或含有异丙醇的溶液。

16.如权利要求14所述的制造磁头的方法,其特征在于:还包括在磁头沉浸在容器溶液中时施加超声振动的步骤。

17.如权利要求14所述的制造磁头的方法,其特征在于:所述步骤(4)中,将从同一长形条切割成的一行磁头与分离托架的一行磁头收容坑对正,将从不同长形条形成的一列磁头与分离托架的一列磁头收容坑对正。

18.如权利要求14所述的制造磁头的方法,其特征在于:所述步骤(4)中,所述分离托架包括上分离托架和下分离托架。

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