[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括：

形成一第一氧化层及一氮化层于一衬底上，该衬底具有一第一区域及一第二区域，该第一区域是逻辑元件区，该第二区域是存储元件区，该氮化层中包含有氮原子；

氧化该氮化层，该氮化层中一部分的氮原子移动至该第一氧化层及该衬底中，且该氮化层的上部转化为一上氧化层；

移除对应于该第二区域的该上氧化层、该氮化层及该第一氧化层；以及

成长一第二氧化层于该第二区域的该衬底上，该第二氧化层中包含有氮原子，该氮原子由位于第二区域的衬底移动至第二氧化层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中氧化该氮化层的步骤包括：

利用高温热处理氧化该氮化层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中该移除的步骤包括：

形成一刻蚀阻挡层于对应该第一区域的该衬底上；

第一次腐蚀对应于该第二区域的该上氧化层；

移除该刻蚀阻挡层；

第二次腐蚀对应于该第二区域的该氮化层；及

第三次腐蚀对应于该第二区域的该第一氧化层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，其中第一次腐蚀的步骤包括：

利用缓冲氧化刻蚀液BOE或氢氟酸HF湿法刻蚀对应于该第二区域的该上氧化层。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，其中第二次腐蚀的步骤包括：

利用热磷酸湿法刻蚀对应于该第二区域的该氮化层。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，其中第三次腐蚀的步骤包括：

利用缓冲氧化刻蚀液或氢氟酸湿法刻蚀对应于该第二区域的该第一氧化层。

7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，其中第三次腐蚀的步骤包括：

刻蚀对应于该第一区域的该上氧化层。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中成长该第二氧化层的步骤包括：

热氧化该衬底。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，其中该方法在成长一第二氧化层于该第二区域的该衬底上之后，进一步包括：

刻蚀对应于该第一区域的该氮化层。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中刻蚀对应于该第一区域的该氮化层的步骤包括：

利用热磷酸湿法刻蚀对应于该第一区域的该氮化层。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中于该刻蚀对应于该第一区域的该氮化层的步骤后，该方法进一步包括：

形成一多晶硅层于该第一氧化层及该第二氧化层上。

12.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中于形成该第一氧化层及该氮化层的步骤中，形成该第一氧化层的厚度范围为5至

13.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中于氧化该氮化层的步骤中，形成该上氧化层的厚度至多为

14.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中于成长该第二氧化层的步骤中，形成该第二氧化层的厚度范围为50至

15.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一衬底，具有一第一区域及一第二区域，该第一区域是逻辑元件区，该第二区域是存储元件区；

一第一氧化层，设置于该衬底上，并且对应于该第一区域；以及

一第二氧化层，设置于该衬底上，并且对应于该第二区域；

其中，该第一氧化层中具有一第一部分的氮原子，该衬底具有一第二部份的氮原子位于该衬底中邻近于该衬底及该第一氧化层的接面处，该第二氧化层中具有一第三部份的氮原子。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，其中该装置进一步包括：

一多晶硅层，设置于该第一氧化层及该第二氧化层上。

17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一氧化层的厚度范围为5至

18.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二氧化层的厚度范围为50至