[发明专利]用于增加蓝光透光率的抗反射涂层结构及其制作方法无效
申请号: | 200810096128.7 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101571602A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 张正杰;刘秀凤;郭璧瑞 | 申请(专利权)人: | 智盛全球股份有限公司 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 增加 透光率 反射 涂层 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种涂层结构及其制作方法,特别是涉及一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构及其制作方法。
背景技术
现有的抗反射光学涂层的多层系统皆利用一通则,该通则为该光学涂层的表层的物质具有一低折射率,例如SiO2,折射率为1.46,或MgF2,折射率为1.38。然而,当将该抗反射涂层运用于显示器工业时,例如具抗静电效果的计算机屏幕或用于液晶显示器或电浆显示器的低反射玻璃时,在大量生产的过程中,存在一些瓶颈,其原因是该光学涂层结构的导电层由一绝缘层(例如SiO2或MgF2)所烧制而成。
一抗反射涂层的基本设计规则为,布置于一基板表面的第一层为具高折射率的物质所构成(标示为H),其后接着一具低折射率的物质所构成(标示为L)的第二层,因此,现有的抗反射涂层的多层结构的规则为HLHL或HLHLHL,以高折射率(H)的物质为ITO而低折射率(L)的物质为SiO2为例子,该四层结构分别为Glass/ITO/SiO2/ITO/SiO2。因为ITO是一透明的导电物质,该多层结构的涂层的导电性低于每平方100奥姆(Ω),而且当该导电涂层连结至地时,可用于电磁干扰(EMI)频障或静电放电。然而,问题是该现有的光学多层结构的表面物质为SiO2,且其厚度为1000埃该SiO2的物质特性为高密度、具有惰性和一良好的电绝缘层,在运用传统的抗反射涂层于显示器工业的过程中,电性接触由外部的SiO2层所隔离的该烧制的ITO层是困难的,在使一金属接触该ITO层的接地过程中,需要使用一超音波焊接方法去打破该SiO2层,以确保锡球与该ITO层产生良好接触,此一方法为大量生产抗反射涂层的瓶颈。
另一方面,由于液态锡和超音波的曝露能量的缘故,该超音波焊接方法产生微细的污染物,此外,该超音波焊接方法亦会于每一汇流线上产生非持久性的接触阻抗,这是因为超音波焊接方法无法保证能够均匀的以相同的深度打破该绝缘层而得到一均匀的接触阻抗。
上述的缺点会降低在运用现有的抗电磁干扰和抗反射涂层的制作过程的合格率和可靠度。
再者,请参考图1A所示,其为现有光线穿过未加工的玻璃的透光率(lighttransmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图。由图中可知,当光线穿过未加工的玻璃时(玻璃上没有成形任何的涂层),不同的光波长皆具有约92%相同的光穿透率。
另外,请参阅图1B所示,其为现有光线穿过已加工的玻璃的透光率(lighttransmittance)与光波长(light wavelength)的特性曲线图。由图中可知,当光线穿过已加工的玻璃时(玻璃上已成形有一预定的防电磁干扰(EMI)涂层),不同的光波长具有不同百分比的光穿透率。尤其是针对偏蓝光(最左边区域)及偏红光(最右边区域)的光波长,其透光率皆明显的降低至10%左右。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构,该低电阻光衰减抗反射涂层可运用于半导体、光学头、液晶显示器、阴极射线管、建筑玻璃、触控式传感器、屏幕滤波器、塑料网板涂层等工业。
本发明的另一目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构,该低电阻光衰减抗反射涂层的表层的物质为一可穿透的表面导电层,而该可穿透的表面导电层的光反射率低于0.5%,该低电阻光衰减抗反射涂层的阻抗介于每平方0.5Ω与0.7Ω之间,而其穿透率为55%至70%。
本发明的另一目的是提供一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构,本发明的涂层结构其具有高导电性的特性,当其运用于电浆显示器的制造时,其具有电磁干扰屏障、光学视角低反射、高表面硬度抗刮性、适度的光衰减效应等优点。例如,本发明的涂层结构的表面阻抗介于每平方0.5Ω与0.7Ω之间,以及具有足够硬度去通过军事标准MIL-C-48497的耐刮测试。
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