[发明专利]球栅阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种球栅阵列基板及其制造方法，具体地讲，涉及一种在焊盘上通过电镀来预置凸点的球栅阵列基板及其制造方法。

背景技术

球栅阵列(BGA)封装技术是一种表面贴装型封装，它通过在基底的背面按阵列方式制作出球形凸点(ball bump)来代替传统的引线，使得半导体装置的集成度更高、性能更好。BGA封装技术会显著地增加器件的I/O引脚数、减小焊盘间距，进而缩小封装件的尺寸、节省封装的占位空间，从而使PC芯片组、微处理器等高密度、高性能、多引脚封装器件的微型化成为可能。

在BGA基板的制造过程中，通常在模封(molding)之后的基底表面通过焊球贴装(solder ball attachment)工艺来形成凸点。但是，随着I/O引脚数量的增多、焊盘间距的减小，对焊球贴装工艺的要求也越来越高。而且，焊球贴装过程中所采用的助焊剂(flux)影响回流(reflow)后凸点的质量和可靠性，并在下级互连过程中会存在掉球(missing ball)等问题。

第2007/0020906号美国专利公开了一种可靠性较高的凸点结构的形成方法。图1示出了由该方法制造的半导体基底上的凸点结构。其顶部金属层4设置在半导体基底(芯片)2中，第一钝化层6形成在半导体基底2的表面和顶部金属层4上，并具有暴露顶部金属层4的多个第一开口。其中，所述多个第一开口通过传统的光刻工艺对第一钝化层6进行图案化和蚀刻而形成在第一钝化层6上。并且，接触焊盘8形成在第一钝化层6的上方，在该接触焊盘8表面上沉积第二钝化层10，并通过对第二钝化层10进行图案化和蚀刻形成多个第二开口，以暴露接触焊盘8的一部分。此外，凸点下金属(UBM，under bump metallurgy)层12设置在第二钝化层10和接触焊盘8的多个第二开口上。凸点13形成在UMB层12上，该凸点13按以下方式形成：在UBM层12上形成光致抗蚀剂层，并对该光致抗蚀剂层进行图案化和蚀刻，以形成至少一个基本覆盖接触焊盘8的第三开口；接着，在第三开口上沉积导电材料，利用该导电材料作为掩模来蚀刻UBM层12；最后，对导电材料进行回流处理，最终形成凸点13。由这种方法制造的凸点13，由于形成在UBM层上，并且凸点13与UBM层12紧密接触，所以包括凸点13和UBM层12的凸点结构质量好、可靠性高。尽管如此，由于该美国专利所公开的凸点结构的制造工艺较为复杂、成本较高，因而不适合于针对细间距(finepitch)的BGA产品的焊料预置工艺。

发明内容

本发明提供了一种在焊盘上通过电镀来预置凸点的球栅阵列基板及其制造方法，从而克服了上述技术问题中的一个或多个技术问题。

根据本发明的一方面，一种球栅阵列基板包括：基底；接触焊盘，所述接触焊盘设置在所述基底上；阻焊层，所述阻焊层形成在所述基底和所述接触焊盘上，并具有暴露所述接触焊盘的一部分的开口部分；凸点，通过电镀形成在所述开口部分暴露的接触焊盘上。所述球栅阵列基板还可包括形成在所述接触焊盘和所述凸点之间的镀层。所述凸点可以直接形成在所述开口部分暴露的接触焊盘上，并可以由无铅二元合金焊料形成，所述无铅二元合金焊料可以为Sn-Cu合金或Sn-Ag合金。

根据本发明的另一方面，一种球栅阵列基板的制造方法包括以下步骤：在基底上设置接触焊盘；在所述基底和所述接触焊盘上沉积阻焊层，并对所述阻焊层进行图案化和蚀刻，以形成用于暴露所述接触焊盘的一部分的开口部分；在所述开口部分暴露的接触焊盘上电镀焊料，以形成具有一定厚度的焊料层；对所述焊料层进行回流处理，以形成凸点。所述制造方法还可包括以下步骤：在所述基底上设置所述接触焊盘之后且在所述基底和所述接触焊盘上沉积所述阻焊层之前，在所述接触焊盘上设置镀层。可以将所述凸点直接形成在所述开口部分暴露的接触焊盘上。所述焊料可以包括无铅二元合金焊料，所述无铅二元合金焊料可以为Sn-Cu合金或Sn-Ag合金。

附图说明

图1是根据现有技术的在半导体基底上的凸点结构的剖视图。

图2A至图2C是示出根据本发明实施例的BGA基板的制造方法的剖视图。

图3A至图3C示出根据本发明另一实施例的BGA基板的制造方法的剖视图。

具体实施方式

现在，将对本发明的实施例进行详细描述，附图中示出了本发明的实施例。在附图中，相同的标号始终表示相同的元件。