[发明专利]形成光阻图案的方法、制造显示面板和显示装置的方法无效
| 申请号: | 200810095173.0 | 申请日: | 2008-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN101261439A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 申暻周;昔俊亨;蔡钟哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 图案 方法 制造 显示 面板 显示装置 | ||
1、一种形成光阻图案的方法,该方法包括:
形成光阻;以及
通过按照区域执行不同次数的曝光工艺,形成具有阶梯部分的光阻图案。
2、如权利要求1的方法,其中该光阻图案包括第一区域和低于该第一区域的第二区域,其中对该第一区域的曝光次数多于对该第二区域的曝光次数。
3、如权利要求2的方法,进一步包括,
对应于该光阻图案的第一和第二区域,使该光阻的第一和第二区域经受第一曝光;以及
使该光阻的第一区域经受第二曝光。
4、如权利要求3的方法,其中在该第一曝光期间,不同强度的光分别辐射到该光阻的第一和第二区域。
5、如权利要求4的方法,其中在该第一曝光期间,比辐射到该光阻的第二区域更强的光辐射到该光阻的第一区域。
6、如权利要求4的方法,进一步包括,
在该第一曝光期间,对该光阻的第一和第二区域辐射相同强度的光;以及
在该第二曝光期间,辐射与该第一曝光相比不同强度的光。
7、如权利要求1的方法,其中该光阻图案包括第一区域和低于该第一区域的第二区域,其中对该第一区域的曝光次数少于对该第二区域的曝光次数。
8、一种制造显示面板的方法,该方法包括:
通过第一导电层在基板上形成具有栅线和栅极的栅极图案;
在该基板上方顺序地形成栅绝缘层、非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二导电层以及光阻,其中该光阻包括沟道区域以及数据图案区域,通过该沟道区域形成薄膜晶体管的沟道,通过该数据图案区域形成具有薄膜晶体管的源极和漏极以及数据线的数据图案;
使该光阻经受曝光形成具有阶梯部分的光阻图案,其中该沟道区域和该数据图案区域接收不同数目的曝光次数;
利用该光阻图案执行蚀刻工艺形成该薄膜晶体管和该数据线;
在该基板上方形成钝化膜,该钝化膜具有暴露一部分漏极的像素接触孔;以及
在该钝化膜上形成像素电极,该像素电极经由该像素接触孔电连接到该漏极。
9、如权利要求8的方法,其中该光阻具有负感光性。
10、如权利要求9的方法,其中具有阶梯部分的该光阻图案包括数据图案区域以及沟道区域,通过该数据图案区域,形成该源极和漏极以及该数据线,通过该沟道区域形成薄膜晶体管的沟道,并且该光阻图案的数据图案区域高于该光阻图案的沟道区域。
11、如权利要求10的方法,其中对该光阻的沟道区域的曝光次数少于对该光阻的数据图案区域的曝光次数。
12、如权利要求11的方法,进一步包括,
使该沟道区域和该数据图案区域的光阻经受第一曝光;以及
使该数据图案区域的光阻经受第二曝光。
13、如权利要求12的方法,其中在该第一曝光期间,不同强度的光分别辐射到该光阻的沟道区域和该光阻的数据图案区域。
14、如权利要求13的方法,其中在该第一曝光期间,比辐射到该光阻的沟道区域更强的光辐射到该光阻的数据图案区域。
15、如权利要求12的方法,进一步包括,
在该第一曝光期间,对该光阻的沟道区域和该光阻的数据图案区域辐射相同强度的光;以及
在该第二曝光期间,辐射与该第一曝光相比不同强度的光。
16、如权利要求15的方法,进一步包括,在该第二曝光之后,使该数据图案区域再经受至少一次的曝光。
17、如权利要求8的方法,其中该光阻具有正感光性。
18、如权利要求17的方法,其中具有阶梯部分的该光阻图案包括数据图案区域以及沟道区域,通过该数据图案区域形成该源极和漏极以及该数据线,通过该沟道区域形成该薄膜晶体管的沟道,并且该光阻图案的该数据图案区域高于该光阻图案的该沟道区域。
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