[发明专利]含氯的氧化镁粉末

说明书

技术领域

本发明涉及一种含氯的氧化镁粉末。

背景技术

交流型等离子体显示面板(以下简称AC型PDP)一般包括作为图像显示板的前面板和夹有充满放电气体的放电空间并对置的背面板。前面板包括前面玻璃基板、前面玻璃基板上形成的一对放电电极、为覆盖放电电极形成的电介质层、以及在电介质层表面形成的电介质保护膜。背面板包括背面玻璃基板、背面玻璃基板上形成的地址电极、覆盖背面玻璃基板和地址电极形成的用于区分放电空间的隔板、以及在隔板表面形成的赤、绿、青的荧光体层。

放电气体一般应用Xe(氙)和Ne(氖)的混合气体。此混合气中Xe是放电气体，Ne是缓冲气体。

在电介质保护层的形成材料中，为了降低AC型PDP的工作电压，保护电介质层不受在放电空间生成的等离子的影响，广泛使用二次放电系数高、耐溅射性优良的氧化镁。

在AC型PDP中，为了达到提高发光效率的目的一直以来进行着如下探讨：在电介质保护层的放电空间侧的表面设置紫外光放出层，该紫外光放出层利用由放电气体生成的紫外光被激发而放出在波长230～250nm之间具有峰值波长的紫外光，从而利用放电气体放出的紫外光和紫外光放出层放出的紫外光，激发荧光体层的荧光体，由此提高荧光体层的发光效率。

例如专利文献1中公开有AC型PDP，该AC型PDP利用镁加热产生的蒸汽通过气相氧化法而生成的、经BET法测定的平均粒子直径为500埃以上、优选2000埃以上的气相法氧化镁单晶体而形成紫外光放出层，将所形成的紫外光放出层形成在电介质保护层的放电空间侧的表面上。

专利文献1：日本特开2006-59786号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种氧化镁粉末，其在AC型PDP等的气体放电发光装置的电介质保护层上形成，当利用由氙气的气体放电生成的紫外光激发时，高效率地放出波长在250nm附近的紫外光。

本发明人发现，将纯度99.95质量％以上且BET比表面积在5～150m²/g范围的高纯度氧化镁粉末，或者经烧成生成该氧化镁粉末的镁化合物粉末(其中，氯化镁粉末除外)，通过在氯源存在下或含氯的气体氛围下，在850℃以上的温度下烧成，可以制造含氯为0.005～10质量％范围、除氯之外总量中氧化镁纯度为99.8质量％，且BET比表面积为0.1～30m²/g范围的含氯的氧化镁粉末；而且该含氯的氧化镁粉末被由氙气的放电气体生成的紫外光激发时，高效率放出波长为250nm附近的紫外光，从而完成本发明。

因此，本发明涉及一种含氯的氧化镁粉末，其中，在0.005～10质量％的范围含有氯、除氯之外总量中氧化镁纯度为99.8质量％以上且BET比表面积为0.1～30m²/g的范围。

本发明的含氯氧化镁粉末优选的方式如下。

(1)氯含量为0.01～10质量％的范围。

(2)氧化镁纯度为99.9质量％以上。

(3)BET比表面积为0.2～12m²/g的范围。

(4)用于制造在交流型等离子体显示面板的电介质保护层的放电空间侧的表面上形成的紫外光放出层。

本发明还涉及一种上述本发明的含氯的氧化镁粉末的制造方法，其特征在于，将氧化镁纯度为99.95质量％以上、且BET比表面积为5～150m²/g范围的氧化镁原料粉末，或者经烧成生成该氧化镁原料粉末的、除氯化镁粉末外的镁化合物粉末，在氯源存在下或含氯气体氛围中在850℃以上的温度下烧成而成。

本发明的含氯的氧化镁粉末的制造方法优选的方式如下。

(1)将氧化镁原料粉末或镁化合物粉末在纯度为99.0质量％以上的氯化镁粉末存在下烧成。

(2)氧化镁原料粉末或镁化合物粉末的烧成温度为1000～1500℃范围。

(3)氧化镁原料粉末或镁化合物粉末的烧成时间为10分钟以上。