[发明专利]含氯的氧化镁粉末有效
| 申请号： | 200810095157.1 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101269826A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 加藤裕三;植木明 | 申请（专利权）人： | 宇部材料工业株式会社 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本国山*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镁 粉末 | ||
1、一种含氯的氧化镁粉末，其中，在0.005～10质量％范围含有氯，除氯之外的总量中氧化镁纯度为99.8质量％以上，且BET比表面积在0.1～30m2/g范围。
2、如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末，其中，氯含量在0.01～10质量％的范围。
3、如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末，其中，氧化镁的纯度为99.9质量％以上。
4、如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末，其中，BET比表面积在0.2～12m2/g的范围。
5、如权利要求1～4中任一项所述的含氯的氧化镁粉末，其中，其用于形成于交流型等离子体显示器面板的电介质保护层的放电空间侧的表面的紫外光放出层的制造。
6、如权利要求1所述的含氯的氧化镁粉末的制造方法，其特征在于，
将氧化镁纯度为99.95质量％以上且BET比表面积在5～150m2/g范围的氧化镁原料粉末，或者经过烧成生成该氧化镁原料粉末的、氯化镁粉末以外的镁化合物粉末，在氯源存在下或在含氯的气体氛围下，在850℃以上的温度下烧成。
7、如权利要求6所述的制造方法，其中，氧化镁原料粉末或者镁化合物粉末在纯度为99.0质量％以上的氯化镁粉末存在下烧成。
8、如权利要求6所述的制造方法，其中，氧化镁原料粉末或者镁化合物粉末的烧成温度在1000～1500℃范围。
9、如权利要求6所述的制造方法，其中，氧化镁原料粉末或者镁化合物粉末的烧成时间在10分钟以上。
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