[发明专利]衬底支架、衬底处理装置和放置衬底的方法有效
申请号: | 200810095078.0 | 申请日: | 2008-04-28 |
公开(公告)号: | CN101299416A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 迪特尔·哈斯;托马斯·贝尔格;西蒙·劳 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/00;C23C14/50;H01J37/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支架 处理 装置 放置 方法 | ||
1.一种用于对衬底(14)进行处理的衬底处理装置,包括:
至少一个处理室;
布置在所述处理室中用于对所述衬底(14)进行处理的处理工具;
具有框架(2a、2b、2c、2d)的衬底支架(1),和
边缘排除件(20),其突出于衬底(14)的衬底表面的一部分上方以防止对所述衬底(14)的一部分进行处理,所述衬底被支撑在所述衬底支架(1)中并被容纳在所述处理室中,
其特征在于,
所述边缘排除件(20)在所述衬底(14)的边缘(14’)与所述衬底支架(1)的所述框架(2a、2b、2c、2d)之间提供迷宫式密封。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
用于支撑所述衬底(14)的所述衬底支架(1)包括:
固定安装到所述框架(2a、2b、2c、2d)的至少第一紧固装置(6、7),用于通过将所述衬底(14)安装到所述第一紧固装置(6、7)来将所述衬底(14)相对于所述框架(2a、2b、2c、2d)对准;和
以可移动方式安装到所述框架(2a、2b、2c、2d)的第二紧固装置(12、13),所述第二紧固装置(12、13)沿着至少朝向或远离安装到所述第一紧固装置(6、7)的所述衬底(14)的边缘(14’)的方向相对于安装到所述第一紧固装置(6、7)的所述衬底(14)可动或相对于所述框架(2a、2b、2c、2d)可动。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第一紧固装置(6、7)至少包括第一保持器元件(6)和第二保持器元件(7)。
4.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第一紧固装置(6、7)布置在所述框架(2a、2b)上以限定参考角部(4),所述参考角部用于将所述衬底(14)相对于所述衬底支架(1)保持、对准或固定安装在参考位置。
5.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第二紧固装置(12、13)至少包括第三保持器元件(12)和第四保持器元件(13)。
6.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第二紧固装置(12、13)通过线性导向件(15、16)以可动方式安装到所述衬底支架(1),所述线性导向件用于在线性路径上将所述第二紧固装置(12、13)相对于所述框架(2a、2b、2c、2d)进行导向,或沿与所述衬底(14)的边缘(14’)大体垂直的方向相对于容纳在所述第一紧固装置(6、7)中的衬底(14)的边缘(14’)进行导向。
7.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第二紧固装置(12、13)包括沿朝向容纳在所述第一紧固装置(6、7)中的所述衬底(14)的边缘(14’)的方向施加力的装置。
8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述框架(2a、2b、2c、2d)布置成使得所述框架(2a、2b、2c、2d)与支撑于所述衬底支架(1)中的所述衬底(14)的边缘(14’)之间形成间隙(19)。
9.根据前述权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述边缘排除件(20)布置在所述处理室内。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述边缘排除件(20)与容纳在所述处理室中的所述衬底支架(1)布置成可彼此相对运动,使所述边缘排除件(20)的至少一部分移动到间隙(19)中以形成所述迷宫式密封,所述间隙(19)处于由所述衬底支架(1)支撑的衬底(14)的边缘(14’)与所述衬底支架(1)的所述框架(2a、2b、2c、2d)之间。
11.根据权利要求9所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述边缘排除件(20)包括主体部分(20a),所述主体部分用于覆盖所述衬底(14)的所述边缘(14’)与所述衬底支架(1)的所述框架(2a、2b、2c、2d)之间的间隙(19)以防止颗粒进入所述间隙(19)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造