[发明专利]栅极结构的制造方法

权利要求书

1.一种栅极结构的制造方法，包括：

提供一衬底，该衬底上已形成一栅极介电层，且该栅极介电层上形成有至 少一介电柱；

在该衬底上方顺应性形成一多晶硅层，覆盖住该介电柱与该栅极介电层；

进行一刻蚀工艺，移除部分的该多晶硅层，以于该介电柱的侧壁形成二个 多晶硅间隙壁；

在该衬底上形成一刻蚀终止层；

形成一介电层，以覆盖该刻蚀终止层、该二个多晶硅间隙壁与该介电柱；

进行一平坦化工艺，移除部分的该介电柱、该介电层与该二个多晶硅间隙 壁，使该二个多晶硅间隙壁形成二个多晶硅柱；

进行一回刻蚀工艺，移除部分的该介电柱与该介电层，使该介电柱与该介 电层的表面低于该多晶硅柱的表面；以及

进行一自行对准金属硅化物工艺，使该多晶硅柱转变成一金属硅化物柱，

其中该多晶硅层的厚度等于该金属硅化物柱的关键尺寸。

2.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成该金属硅化物柱后，在该金属硅化物柱上形成一金属层；以及

在形成该金属层后，移除部分的该介电柱与该介电层，以于该金属硅化物 柱两侧形成一间隙壁。

3.如权利要求2所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该金属层的材 料包括氮化钛、钽或钨。

4.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该栅极介电层 为高介电常数的介电材料层。

5.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该刻蚀终止层 的材料包括氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该平坦化工艺 为化学机械研磨工艺。

7.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该刻蚀工艺为 非等向性刻蚀工艺。

8.一种栅极结构的制造方法，包括：

提供一衬底，该衬底具有一第一栅极区与一第二栅极区，该衬底上已形成 一栅极介电层，且该第二栅极区的该栅极介电层上形成有至少一介电柱；

在该衬底上方顺应性形成一多晶硅层，覆盖住该介电柱与该栅极介电层；

进行一第一刻蚀工艺，移除该第二栅极区的部分该多晶硅层，以于该介电 柱的侧壁形成二个多晶硅间隙壁；

在该衬底上形成一刻蚀终止层；

进行一第二刻蚀工艺，移除该第一栅极区的该多晶硅层，以形成至少一第 一多晶硅柱；

形成一介电层，以覆盖该刻蚀终止层、该二个多晶硅间隙壁、该介电柱与 该第一多晶硅柱；

进行一平坦化工艺，移除部分的该介电柱、该介电层与该二个多晶硅间隙 壁，使该二个多晶硅间隙壁形成二个第二多晶硅柱；

进行一回刻蚀工艺，移除部分的该介电柱与该介电层，使该介电柱与该介 电层的表面低于该第一多晶硅柱与该第二多晶硅柱的表面；以及

进行一自行对准金属硅化物工艺，使该第一多晶硅柱与该第二多晶硅柱分 别转变成一第一金属硅化物柱与一第二金属硅化物柱，

其中该多晶硅层的厚度等于该第二金属硅化物柱的关键尺寸。

9.如权利要求8所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成该第一金属硅化物柱与该第二金属硅化物柱后，在该第一金属硅化 物柱与该第二金属硅化物柱上形成一金属层；以及

在形成该金属层后，移除部分的该介电柱与该介电层，以于该第一金属硅 化物柱两侧与该第二金属硅化物柱两侧形成一间隙壁。

10.如权利要求9所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该金属层的材 料包括氮化钛、钽或钨。

11.如权利要求8所述的栅极结构的制造方法，其特征在于，该栅极介电层 为高介电常数的介电材料层。