[发明专利]1－甲基碳青霉烯化合物的结晶无效
| 申请号： | 200810092682.8 | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101284830A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 道田诚;长尾祐纪 | 申请（专利权）人： | 三共株式会社 |
| 主分类号： | C07D477/20 | 分类号： | C07D477/20;A61K31/407;A61P31/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 甲基 青霉 化合物 结晶 | ||
1.式(I-3)所示1-甲基碳青霉烯化合物·乙醇合物·3水合物的结晶，其特征在于：其水分含量为8～10质量％，在由铜的Kα射线照射得到的粉末X射线衍射图中，在晶面间隔d＝6.65、5.68、4.86、4.57和4.03处显示主峰：
2.式(I-3)所示1-甲基碳青霉烯化合物·乙醇合物·3水合物的结晶的制备方法，其通过使式(I-1)所示化合物的结晶吸湿进行制备，其中，1-甲基碳青霉烯化合物·乙醇合物·3水合物的结晶的特征在于：在由铜的Kα射线照射得到的粉末X射线衍射图中，在晶面间隔d＝6.65、5.68、4.86、4.57和4.03处显示主峰，
式(I-1)所示化合物的结晶的特征在于：在由铜的Kα射线照射得到的粉末X射线衍射图中，在晶面间隔d＝7.60、6.69、6.33、6.14、5.15、4.58和4.48处显示主峰，
3.式(I-1)所示化合物的结晶的制备方法，其通过在常温下减压干燥(I-3)式所示1-甲基碳青霉烯化合物·乙醇合物·3水合物的结晶进行制备，其中式(I-1)所示化合物的结晶的特征在于：在由铜的Kα射线照射得到的粉末X射线衍射图中，在晶面间隔d＝7.60、6.69、6.33、6.14、5.15、4.58和4.48处显示主峰，
(I-3)式所示1-甲基碳青霉烯化合物·乙醇合物·3水合物的结晶的特征在于：在由铜的Kα射线照射得到的粉末X射线衍射图中，在晶面间隔d＝6.65、5.68、4.86、4.57和4.03处显示主峰，
4.用于预防或治疗细菌感染症的医药组合物，该组合物含有权利要求1所述的结晶作为有效成分。
5.权利要求1所述结晶在制备用于预防或治疗细菌感染症的药物中的用途。
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