[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810092631.5 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290935A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;郇春艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
设置在半导体衬底中的金属-氧化物-半导体(MOS)型晶体管；和
设置在所述半导体衬底中的MOS型变容二极管；
其中，所述变容二极管的栅绝缘膜比所述晶体管的栅绝缘膜中最薄的栅绝缘膜厚。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述变容二极管组成LC谐振型电压控制振荡器。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述变容二极管的所述栅绝缘膜比组成所述电压控制振荡器的晶体管的栅绝缘膜厚。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管的所述最薄栅绝缘膜的等效氧化物厚度低于1.5nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述变容二极管包括：设置在所述半导体衬底中的第一导电类型的阱区，设置在所述阱区中的所述第一导电类型的扩散层，以及通过所述栅绝缘膜设置在所述半导体衬底上的栅电极。
6.如权利要求5所述的半导体器件，
其中，所述扩散层包括：设置在所述栅电极的一侧中的所述第一导电类型的第一扩散层，和设置在所述栅电极的另一侧中的所述第一导电类型的第二扩散层，以及
其中，所述第一扩散层电连接到所述第二扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810092631.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
