[发明专利]处理系统、处理方法和计算机程序

说明书

技术领域

本发明涉及处理半导体晶片等被处理体的处理系统、处理方法和计算机程序，特别是涉及将多个被处理体一并进行处理的成批式的处理系统、处理方法和程序。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，采用了对多个被处理体一并进行例如半导体晶片的成膜处理、氧化处理或者扩散处理等的成批式处理系统。在成批式处理系统中，虽然可以有效地处理半导体晶片，但是对于多个半导体晶片的处理来说还难以确保其处理的均匀性。

作为用于解决上述问题的技术，例如，专利文献1中公开了一种方法，其具有上部、中部、下部的3个以上的多个用于向扩散炉内导入气体的气体喷射器，通过相互独立地控制流量来使气体的供给量均匀，提高了半导体装置的成品率。

在专利文献2中，公开了一种热处理方法，其通过改变热处理中的运载气体的流量来改变被处理体的工艺面内的至少中央部与周边部之间的处理气体的供给位置，能够进行均匀处理。

在专利文献3中公开了一种方法，其预测从多个配管供给的反应气体的流量与在基板上的膜的成长速度的关系，并且通过控制从多个配管供给的反应气体的流量来进行成膜。

【专利文献1】日本特开平11-121389号公报

【专利文献2】专利第3081969号公报

【专利文献3】日本特开2003-166066号公报

但是，在成批式处理系统中，即使最初进行着适当的处理，由于多次重复处理操作，外部因素的变化等，存在变得与当初的预定不同的处理。例如，当半导体晶片成膜处理时，尽管最初能够以适当的膜厚在半导体晶片的表面成膜，但是在重复成膜处理的过程中，存在半导体晶片的表面所形成的膜厚发生变化的情况。这认为是气体的供给量没有与处理系统的处理炉的经时变化和外部环境的变化对应的情况。因此，处理系统的操作者可以在经验和直觉的基础上调整气体的流量，并且确保半导体晶片表面上所形成的膜厚的均匀性。这样，在成膜处理中，难以确保膜厚的均匀性。因此，需要一种即使是没有关于处理系统和工艺的知识和经验的操作者也能够容易地调整气体流量的处理系统和处理方法。

发明内容

本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法以及计算机程序。

另外，本发明的目的在于提供一种无论经时变化和外部环境的变化都能够进行适当处理的处理系统、处理方法以及计算机程序。

为了达到上述目的，本发明第一方面涉及的处理系统，其特征在于，包括：

处理室，用于收容被处理体；

处理气体供给装置，用于向该处理室内供给处理气体；

处理条件存储单元，存储有包括从上述处理气体供给单元供给的处理气体的流量的与处理内容对应的处理条件；

模型存储单元，存储有表示处理气体的流量与处理结果的关系的流量处理结果关系模型；

流量计算单元，输入在上述处理条件存储单元所存储的处理条件下处理上述被处理体的处理结果，基于该处理结果和上述模型存储单元所存储的流量处理结果关系模型，计算处理气体的流量；和

处理单元，当由上述流量计算单元计算出处理气体的流量时，将上述处理条件的处理气体的流量变更为由上述流量计算单元计算出的处理气体的流量，对被处理体进行处理。

本发明第二方面涉及的处理系统，其特征在于，包括：

处理室，用于收容被处理体或者该被处理体的检查用基板；

处理气体供给装置，用于向该处理室内供给处理气体；

处理条件存储单元，包括由上述处理气体供给单元供给的处理气体的流量，存储与处理内容对应的处理条件；

误差信息存储单元，存储与处理结果的误差有关的误差信息，上述处理结果的误差是由于上述被处理体和上述检查用基板之间的不同所引起的；

模型存储单元，存储有表示处理气体的流量与处理结果的关系的流量处理结果关系模型；

处理条件提取单元，基于上述误差信息存储单元所存储的误差信息，根据上述被处理体的目标处理结果计算上述检查用基板的目标处理结果，从上述处理条件存储单元所存储的处理条件中提取与计算出的上述检查用基板的目标处理结果对应的处理条件；

检查用基板处理单元，在上述处理条件提取单元所提取的处理条件下处理上述检查用基板；

判断单元，判断由上述检查用基板处理单元所处理的处理结果是否包括在上述检查用基板的目标处理结果的规定范围内；