[发明专利]LED封装方法及封装的LED无效
申请号: | 200810091913.3 | 申请日: | 2003-06-11 |
公开(公告)号: | CN101320699A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 巴卢·杰噶纳赛恩;约翰·阿尔伯特·蒙塔格纳特 | 申请(专利权)人: | 莱尼技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/00;H01L25/075;H01L33/00;H01L23/488;F21K7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 封装 方法 | ||
1.一种LED封装方法,包括:
形成导电且导热的的插座,该插座具有基本上平面的底面和基本上平面的周边区域;
在周边的区域上形成电绝缘体;
在电绝缘体上形成导电材料;
直接在插座内的基底上安装半导体模片,该模片结合至少一个发光二极管(LED);以及
在导电材料和模片的一个或多个电接触之间形成一个或多个电连接以提供封装的LED。
2.权利要求1的方法,其中形成导电材料的步骤包括在电绝缘体上形成第一和第二电接触,并且形成电连接的步骤包括在所述第一电接触和光源的第一电接触之间形成至少一个第一电连接,以及在所述第二电接触和光源的第二电接触之间形成至少一个第二电连接。
3.权利要求2的方法,包括在光源上放置磷光体。
4.权利要求3的方法,其中所述磷光体散布于密封剂内。
5.权利要求1的方法,包括将半导体模片密封于密封剂内。
6.权利要求1的方法,其中形成插座的步骤包括用导电材料至少涂覆插座的内表面。
7.权利要求1的方法,其中形成插座的步骤用导电且高反射材料至少涂覆插座的内表面以增强该封装的LED的光学性能。
8.权利要求7的方法,其中所述涂覆材料包括银、铝、银合金,或铝合金。
9.权利要求1的方法,其中所述插座由铜或铜合金形成。
10.权利要求1的方法,其中所述模片使用粘合剂安装到插座的底面。
11.权利要求10的方法,其中所述粘合剂导电且导热。
12.权利要求1到11中任何一项的方法,其中所述插座包括对置于所述电绝缘体上的电接触进行区分的装置,以便能够确定所述电接触的电极性。
13.权利要求12的方法,其中所述装置包括在插座形成后在该插座上形成的标记。
14.一种LED封装方法,包括:
通过执行权利要求1的方法而形成多个封装的LED;以及
将所述多个封装的LED封装成线形条或二维薄片以用于后续处理。
15.一种LED封装方法,包括:
通过执行权利要求1的方法而形成多个表面安装封装的LED;以及
将所述多个表面安装封装的LED安装到金属芯印刷电路板。
16.一种封装的LED,通过执行权利要求1的方法而形成。
17.一种表面安装封装的LED,通过执行权利要求1的方法而形成。
18.一种封装的LED,包括:
导电且导热的插座,该插座具有基本上平面的基底和基本上平面的周边区域;
置于周边区域上的电绝缘体;
置于电绝缘体上的导电材料;
直接安装在插座内的底面上的半导体模片,该模片结合至少一个发光二极管(LED);以及
在所述导电材料和所述模片的一个或多个电接触之间的一个或多个电连接。
19.权利要求18的封装的LED,其中导电材料提供置于电绝缘体上的第一和第二电接触,并且所述电连接包括在所述第一电接触和所述模片的第一电接触之间的至少一个第一电连接,以及在所述第二电接触和所述模片的第二电接触之间的至少一个第二电连接。
20.权利要求18的封装的LED,包括在模片上放置的磷光体。
21.权利要求20的封装的LED,其中所述磷光体散布于置于所述模片上的密封剂内。
22.权利要求18的封装的LED,其中所述模片被密封于密封剂内。
23.权利要求18的封装的LED,其中插座的内表面被用导电材料涂覆。
24.权利要求18的封装的LED,其中插座的内表面被用导电且高反射材料涂覆以增强该封装的LED的光学性能。
25.权利要求24的封装的LED,其中所述导电且高反射材料包括银、铝、银合金,或铝合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造