[发明专利]芯片封装结构以及其制作方法有效
申请号: | 200810091839.5 | 申请日: | 2008-04-03 |
公开(公告)号: | CN101252096A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 金炯鲁;尹晟豪 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/488 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供一金属板材,该金属板材具有一第一表面以及一第二表面,且该金属板材的该第一表面上形成有一第一图案化金属层;
以该第一图案化金属层为一蚀刻掩模对该金属板材的该第一表面进行一半蚀刻工艺,以于该金属板材的该第一表面形成多个第一凹部,其中所述第一凹部是将该金属板材定义出多个引脚;
填充一第一绝缘材料(insulating material)于所述第一凹部内;
在该金属板材的该第二表面上形成一第二图案化金属层;
以该第二图案化金属层为一蚀刻掩模对该金属板材的该第二表面进行一半蚀刻工艺,以在该金属板材的该第二表面形成多个第二凹部,其中所述第二凹部分别对应于所述第一凹部,并暴露出填充于所述第一凹部内的该第一绝缘材料,以使所述引脚彼此电性绝缘;
将一芯片配置于该金属板材上;以及
电性连接该芯片与所述引脚。
2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该金属板材为一铜箔。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该第一图案化金属层为一镍/银(Ni/Ag)层,该第二图案化金属层为一镍/银层。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,对该金属板材的该第一表面进行该半蚀刻工艺,以在该金属板材的该第一表面形成所述第一凹部时,还包括将该金属板材定义出一芯片座,且所述引脚是围绕该芯片座。
5.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,电性连接该芯片与所述引脚之后,还包括在该金属板材的至少一表面上形成一第二绝缘材料(molding compound),以包覆该芯片以及电性连接该芯片与所述引脚的多个导电组件。
6.如权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,还包括于各该引脚上分别形成一焊球。
7.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
一芯片承载器,具有一第一表面以及与其相对应的一第二表面,且该芯片承载器包括多个引脚:
一芯片,配置于该芯片承载器的该第一表面上;
多个导电组件,配置在该芯片与所述引脚之间,使该芯片透过所述导电组件与所述引脚电性连接;
一第一绝缘材料,填充于所述引脚之间,使所述引脚彼此电性绝缘;以及
一第二绝缘材料,包覆该芯片承载器的该第一表面、该芯片、所述导电组件与该第一绝缘材料的一表面。
8.如权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,该芯片承载器还包括一芯片座,且所述引脚是围绕该芯片座。
9.如权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,该第一绝缘材料是填充在所述引脚之间且邻近该芯片承载器的该第一表面处。
10.如权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,该第一绝缘材料是填充在所述引脚之间且邻近该芯片承载器的该第二表面处。
11.如权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,该芯片承载器还包括一镍/银层,位于该芯片承载器的该第一表面或该第二表面。
12.如权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,该第一绝缘材料的材质是不同于该第二绝缘材料的材质。
13.如权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括多个焊球,分别配置于该些引脚上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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