[发明专利]阵列封装基板有效
| 申请号: | 200810091115.0 | 申请日: | 2008-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN101552253A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 吴建男;李胜雄;杨耿忠 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 封装 | ||
技术领域
本发明涉及一种阵列封装基板(array package substrate),且特别涉及一种球格阵列(ball grid array,BGA)封装基板。
背景技术
近年来,随着电子技术的日新月异,高科技电子产业的相继问世,使得更人性化、功能更佳的电子产品不断地推陈出新,并朝向轻、薄、短、小的趋势设计。目前在半导体封装工艺中,阵列封装基板是经常使用的封装元件之一,而半导体元件(例如芯片)可对应位于每一阵列基板上。当半导体元件与阵列基板完成电性连接之后,是以封胶(molding compound)包覆每一阵列基板中所有的半导体元件,以形成阵列封装型态的芯片封装结构。最后,切割每一阵列基板及其对应的封胶体,以形成独立分开的芯片封装单元。
承上所述,在芯片封装结构微型化的趋势中,半导体封装技术也开始面对高脚数(high pin count),小间距(fine pitch)的挑战,而球格阵列(BGA)封装即是现今常用于高脚数、小间距(fine pitch)元件的封装方式。值得一提的是,在应用球格阵列(BGA)封装技术来微型化芯片封装结构,以使芯片封装结构符合小间距(fine pitch)设计的过程中,由于阵列基板上的焊垫(bonding pad)面积也会随之缩小,因此焊球(solder ball)即不易黏附于接触面积较小的焊垫表面,焊球即容易自焊垫上脱落,导致产品成品率不佳。
已知的另一种技术是利用增加焊球尺寸来使焊球与焊垫有较大的接触面积,以改善焊球自焊垫上脱落的问题。然而,芯片封装结构在符合小间距(fine pitch)的情况下,增加焊球尺寸会使得两相邻的焊球的间距过小,两相邻的焊球即容易有不当接触而导致短路的情况发生。因此,如何使芯片封装结构在符合小间距(fine pitch)的情况下,焊球亦能有效及稳固地粘附于微型化芯片封装结构的焊垫表面是一重要课题。
发明内容
本发明提供一种阵列封装基板,其符合小间距(fine pitch)的设计。
本发明提供一种阵列封装基板,其能解决焊球容易脱落的问题。
本发明提出一种阵列封装基板,其包括图案化金属连接层(patternedmetal connecting layer)、多个接垫(connecting pad)、第一绝缘层(insulatinglayer)、多个导电凸柱(conductive pillar)以及第二绝缘层。图案化金属连接层具有第一表面以及一与第一表面相对应的第二表面,这些接垫是配设于第一表面,而这些导电凸柱是配设于第二表面,且这些导电凸柱经由图案化金属连接层与这些接垫电性连接。其中,每一个导电凸柱具有连接部以及凸出部,每一个导电凸柱的连接部与图案化金属连接层相接。此外,第一绝缘层是配设与第一表面或是第二表面共平面的表面的一侧,且暴露出这些接垫。第二绝缘层则是配设于此表面的另一侧,且每一个导电凸柱的凸出部突出于该第二绝缘层外。
在本发明的一实施例中,阵列封装基板还包括多个与这些导电凸柱相对应的焊球,这些导电凸柱的凸出部分别插入于各该焊球中。
在本发明的一实施例中,阵列封装基板还包括抗氧化层,其覆盖每一个导电凸柱的凸出部。
在本发明的一实施例中,抗氧化层为镍金层、金层、锡层、或铜层。
在本发明的一实施例中,图案化金属连接层的材料为镍(Ni)或镍铬(Ni-Cr)。
在本发明的一实施例中,这些接垫的材料为铜(Cu)。
在本发明的一实施例中,这些导电凸柱的材料为铜。
本发明的阵列封装基板具有与接垫电性连接的导电凸柱。每一个导电凸柱的凸出部是外露于第二绝缘层外,且凸出部相较于已知的焊垫有较大的外露面积。因此,当焊球配置于这些导电凸柱时,焊球与凸出部之间即有较大的接触面积,焊球即可有效且稳固地连接于导电凸柱上。另一方面,由于焊球与凸出部之间有较大的接触面积,因此在小间距(fine pitch)的设计中,焊球亦仍能稳固地连接于导电凸柱上。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合附图,作详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明一实施例的阵列封装基板的示意图。
图2绘示本发明另一实施例的阵列封装基板的示意图。
附图标记说明
100、100’:阵列封装基板 110:图案化金属连接层
110a:第一表面 120a:第二表面
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