[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810090720.6 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101295734A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/764;H01L21/77;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
基础衬底；
形成在所述基础衬底上的第一绝缘膜；
形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及
形成在所述第二绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括具有凹 部的沟道形成区域，
其中，
所述第二绝缘膜包括与所述凹部重叠的开口，
在所述凹部和所述第一绝缘膜之间形成有空洞，并且
所述沟道形成区域与所述空洞重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜与所 述基础衬底接触。
3.一种半导体装置，包括：
基础衬底；
形成在所述基础衬底上的第一绝缘膜；
形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；
形成在所述第二绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括凹部；
形成在所述半导体膜上的栅绝缘膜；以及
形成在所述栅绝缘膜上的电极，
其中，
所述半导体膜具有中间夹着所述栅绝缘膜与所述电极重叠的沟 道形成区域，
所述第二绝缘膜包括与所述凹部重叠的开口，
在所述凹部和所述第一绝缘膜之间形成有空洞，并且
所述沟道形成区域与所述空洞重叠。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述半导体膜包括多 个空洞和多个凹部。
5.一种半导体装置，包括：
基础衬底；
形成在所述基础衬底上的第一绝缘膜；
形成在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；
形成在所述第二绝缘膜上的半导体膜，所述半导体膜包括第一凹 部和第二凹部；
形成在所述半导体膜上的栅绝缘膜；以及
形成在所述栅绝缘膜上的电极，
其中，
所述半导体膜具有：中间夹着所述栅绝缘膜与所述电极重叠的沟 道形成区域、以及中间夹有所述沟道形成区域的一对杂质区域，
所述第二绝缘膜包括与所述第一凹部重叠的第一开口，
所述第二绝缘膜包括与所述第二凹部重叠的第二开口，
在所述第一凹部和所述第一绝缘膜之间形成有第一空洞，
在所述第二凹部和所述第一绝缘膜之间形成有第二空洞，
所述一对杂质区域中的一方与所述第一空洞重叠，并且
所述一对杂质区域中的另一方与所述第二空洞重叠。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，
其中所述半导体膜包括多个第一凹部和多个第二凹部，并且
所述半导体装置包括多个第一空洞和多个第二空洞。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，
其中所述第一绝缘膜与所述基础衬底接触。
8.一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：
进行第一加工，在半导体衬底上形成凹部；
将所述半导体衬底的形成有所述凹部的表面贴合到其上形成有 第一绝缘膜的基础衬底上，在所述半导体衬底的所述表面与所述基础 衬底之间夹着第二绝缘膜；以及
与所述半导体衬底的所述表面平行地将所述半导体衬底劈开，
其中，
所述第二绝缘膜包括与所述凹部重叠的开口，
在所述凹部和所述第一绝缘膜之间形成有空洞，并且
沟道形成区域与所述空洞重叠。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中在将所述 半导体衬底劈开之后还包括对所述半导体衬底进行构图的第二加工 工序。
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中在所述 第一加工之后且在贴合所述半导体衬底的表面之前还包括对所述半 导体衬底进行构图的第二加工工序。
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