[发明专利]布线板制造方法、半导体器件制造方法以及布线板有效
申请号: | 200810090193.9 | 申请日: | 2008-04-14 |
公开(公告)号: | CN101286456A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 小林和弘;中村顺一;金子健太郎 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L21/60;H05K3/46;H05K1/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 制造 方法 半导体器件 以及 | ||
1.一种制造布线板的方法,其包括:
第一步骤,在支撑基板上形成第一绝缘层;
第二步骤,在所述第一绝缘层上形成用于暴露所述支撑基板的开口;
第三步骤,在所述开口上形成具有突出部分的电极焊盘,所述突出部分在圆周方向上从布置在所述第一绝缘层上的所述开口突出;
第四步骤,在其上布置有所述电极焊盘的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层;
第五步骤,在所述第二绝缘层上形成将与所述电极焊盘电连接的布线层;以及
第六步骤,去除所述支撑基板以暴露所述电极焊盘。
2.一种制造布线板的方法,其包括:
第一步骤,在支撑基板上形成抗蚀膜;
第二步骤,在所述抗蚀膜上形成用于暴露所述支撑基板的开口;
第三步骤,在所述开口上形成具有突出部分的电极焊盘,所述突出部分在圆周方向上从布置在所述抗蚀膜上的所述开口突出;
第四步骤,去除所述抗蚀膜;
第五步骤,形成绝缘层以覆盖所述电极焊盘的表面;
第六步骤,在所述绝缘层的表面上形成将与所述电极焊盘电连接的布线层;以及
第七步骤,去除所述支撑基板以暴露所述电极焊盘。
3.根据权利要求1所述的制造布线板的方法,还包括:
在所述第一绝缘层的开口上进行粗糙化处理的步骤。
4.根据权利要求2所述的制造布线板的方法,还包括:
去除所述抗蚀膜并随后在所述电极焊盘的表面上进行粗糙化处理的步骤。
5.根据权利要求1所述的制造布线板的方法,其中:
所述支撑基板是由金属形成;
所述第三步骤包括步骤:在所述支撑基板和所述电极焊盘之间形成与所述支撑基板类型相同的金属层;并且
所述第六步骤用于去除所述支撑基板并且用于去除所述金属层从而使得所述电极焊盘的暴露表面形成凹进部分。
6.根据权利要求2所述的制造布线板的方法,其中
所述支撑基板由金属形成;
所述第三步骤包括步骤:在所述支撑基板和所述电极焊盘之间形成与所述支撑基板类型相同的金属层;并且
所述第七步骤用于去除所述支撑基板并且用于去除所述金属层从而使得所述电极焊盘的暴露表面形成凹进部分。
7.一种制造半导体器件的方法,该方法使用了如权利要求1所述的制造布线板的方法,该方法包括以下步骤:
通过焊料块将半导体芯片安装在所述电极焊盘上。
8.一种布线板,包括:
电极焊盘;以及
绝缘层,布置该绝缘层来覆盖所述电极焊盘的表面,其中
所述电极焊盘上形成了突出部分,该突出部分从被所述绝缘层包围的电极焊盘的一个表面侧的外周沿圆周方向突出。
9.根据权利要求8所述的布线板,其中
在从所述绝缘层的表面凹进的位置中形成了位于所述电极焊盘的另一个表面侧的暴露表面;以及
在所述绝缘层的所述表面上形成了凹进部分。
10.根据权利要求8所述的布线板,其中
所述绝缘层包括:
第一绝缘层,所述第一绝缘层具有开口,其中在所述开口上形成了所述电极焊盘;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层被布置在所述电极焊盘的表面和所述第一绝缘层的表面上,并且其中
所述电极焊盘的突出部分突出到了所述开口的外面,从而使得所述突出部分被布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间。
11.一种制造半导体器件的方法,该方法使用了如权利要求2所述的制造布线板的方法,所述制造半导体器件的方法包括以下步骤:
通过焊料块将半导体芯片安装在所述电极焊盘上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造