[发明专利]负阻抗生成电路及其集成电路有效
| 申请号: | 200810090172.7 | 申请日: | 2008-04-07 | 
| 公开(公告)号: | CN101309090A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 | 
| 发明(设计)人: | 费得黎各·亚历山卓·菲布里奥·贝佛 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 | 
| 主分类号: | H04B1/50 | 分类号: | H04B1/50;H03H11/10 | 
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 | 
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阻抗 生成 电路 及其 集成电路 | ||
技术领域
本发明是有关于一种负阻抗生成电路及其集成电路,具体地讲是一种负 互导(negative gm)电路、一具有负互导电路的滤波器以及一具有所述的滤波器 的低噪声放大器,特别是有关于一种应用于频分双工传输(frequency division duplex communication)系统的滤波器。在此系统中,一接收器可在一预知的频 率下,产生一较大的阻隔信号或干扰信号。
背景技术
频分双工(frequency division duplex;FDD)传输系统系为一种通讯系统。 在此系统中,讯息(information)可双向传输。举例而言,讯息可由第一节点传 送至第二节点,并且由第二节点至第一节点。为了避免讯息在节点之间传输 时,与另一讯息发生干扰或冲突,可利用两频分双工环(frequency division duplex link)传送不同的频率。使用此技术的系统包括,多种3G移动电话系统 (如UMTS及CDMA 2000)。
传送器及接收器之间的隔离设计是相当重要的。这是因为,传送器所传 送的信号比供应电源还大,但接收器仅能用以检测到很小的信号。一般常利 用一双工器(duplexer)以及多个滤波器,以作为传送器与接收器之间的隔离。 由于传送频率FTX与接收频率FRX之间的频率差(ΔF)减少,使得愈来愈难达到 大间隔。因此,滤波器的设计变得更复杂,并且需要愈高等级的滤波器。
在一般的装置中,为了降低阻隔信号范围以外的影响(其包含FDD传输频 率),只要在接收器的低噪声放大器和混频器之间设置一外部的滤波器,便可 避免接收器的灵敏度的下降幅度变大。图1显示滤波器的示意图。藉由不同 的技术,便可完成一滤波器。一般的常见的技术为,表面声波滤波器(surface acoustic wave filter)或是大量声波滤波器(bulk acoustic wave filter)以及电介质 滤波器(dielectric filter)。对于作为低噪声放大器及接收器的集成电路而言,这 些滤波器为外部装置。这样的装置是可达成功效的。然而,需要额外集成电 路的接脚,方能耦接外部装置。因此,增加集成电路的成本及尺寸。
超外差接收器(super heterodyne receiver)是使用一晶片陷波滤波器(on-chip notch filter),以抑制寄生影像效应(spurious image response)。陷波滤波器经常 被应用在被动LC网络(network),并且被嵌入于低噪声放大器或是混频器的跨 导级。然而,螺旋电感(spiral inductor)具有相对低的Q因素,Q代表电感的感 抗与阻抗之间的比例。因此,整合于集成电路中的LC陷波滤波器具有高度的 整合性,并且可避免额外增加集成电路的接脚。然而,所需的信号与阻隔信 号或是与干扰信号之间的频率差,将使得所需要的传送效能无法被达成。
发明内容
本发明提供一种电路,用以生成一负阻抗。所述的电路包括,一第一晶 体管,具有一控制端,所述的控制端连接一第一节点;以及一第二晶体管, 具有一电流端,所述的电流端连接所述的第一节点,其中所述的第一晶体管 串联所述第二晶体管,用以产生所述的负阻抗;所述的电路还包括:一偏压 电路,用以使所述的第一及第二晶体管进入一操作区,所述的偏压电路具有 一第三及第四晶体管,所述的第三晶体管串联所述的第四晶体管;所述第一 晶体管的栅极通过一电阻连接所述第三晶体管的栅极,在第三晶体管和第四 晶体管所形成的串联结构的两端并联一电容,所述电容与所述电阻形成一低 通滤波器。
本发明还提供一种电路,用以生成一负阻抗,所述的电路包括:一第一 晶体管,具有一控制端,所述的控制端连接一第一节点;以及一第二晶体管, 具有一电流端,所述的电流端连接所述的第一节点,其中所述的第一晶体管 串联所述第二晶体管,用以产生所述的负阻抗;所述的电路更包括一偏压电 路,所述的偏压电路具有一第三晶体管,所述的第三晶体管串联一电流控制 装置,并且所述的第三晶体管为一场效晶体管,所述的第三晶体管的栅极连 接其漏极,所述的第一晶体管的栅极电压与所述的第三晶体管的栅极电压相 同。
本发明还提供一种与一负载相结合的放大器,所述的放大器包括一电感, 并且所述的放大器更可与前述实施例所提供的电路相结合,用以生成前述实 施例所提供的一负阻抗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810090172.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:盘装置
 - 下一篇:一种钢铁线材表面氧化皮脱除工艺及设备
 





