[发明专利]负阻抗生成电路及其集成电路

权利要求书

1.一种电路，用以生成一负阻抗，其特征在于，所述的电路包括：

一第一晶体管，具有一控制端，所述的控制端连接一第一节点；以及

一第二晶体管，具有一电流端，所述的电流端连接所述的第一节点，其 中所述的第一晶体管串联所述第二晶体管，用以产生所述的负阻抗；

所述的电路还包括：一偏压电路，用以使所述的第一及第二晶体管进入 一操作区，所述的偏压电路具有一第三及第四晶体管，所述的第三晶体管串 联所述的第四晶体管；

所述第一晶体管的栅极通过一电阻连接所述第三晶体管的栅极，在第三 晶体管和第四晶体管所形成的串联结构的两端并联一电容，所述电容与所述 电阻形成一低通滤波器。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的第二晶体管具有一控 制端，用以接收一固定电压。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的第一晶体管为N型元 件，所述的第二晶体管为P型元件。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的第一及第二晶体管均 为场效晶体管，所述的第一晶体管的源极连接所述的第二晶体管的源极，所 述的第二晶体管的漏极连接所述的第一节点。

5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述的电路更包括一电流控 制装置，串联所述的第三晶体管。

6.如权利要求5所述的电路，其特征在于，所述的第三晶体管为一场效 晶体管，所述的电流控制装置串联于所述的第三晶体管的漏极。

7.一种电路，用以生成一负阻抗，其特征在于，所述的电路包括：

一第一晶体管，具有一控制端，所述的控制端连接一第一节点；以及

一第二晶体管，具有一电流端，所述的电流端连接所述的第一节点，其 中所述的第一晶体管串联所述第二晶体管，用以产生所述的负阻抗；

所述的电路更包括一偏压电路，所述的偏压电路具有一第三晶体管，所 述的第三晶体管串联一电流控制装置，并且所述的第三晶体管为一场效晶体 管，所述的第三晶体管的栅极连接其漏极，所述的第一晶体管的栅极电压与 所述的第三晶体管的栅极电压相同。

8.一种与一负载相结合的放大器，其特征在于，所述的放大器包括一电 感，并且所述的放大器更可与如权利要求1所述的电路相结合，用以生成如 权利要求1所述的一负阻抗。

9.如权利要求8所述的放大器，其特征在于，所述的负载更包括一电容 器，用以与所述的电感组合成一共振电路。

10.一种集成电路，其特征在于，所述的集成电路具有一电感，所述的电 感整合于所述的集成电路之中，所述的电感与一电路相结合，用以生成一负 阻抗，所述的电路具有一第一晶体管以及一第二晶体管，所述的第一晶体管 具有一控制端，用以连接所述的电感的第一端，所述的第二晶体管具有一电 流端，连接所述的电感的第一端，其中所述的第一及第二晶体管相互影响， 用以生成一负阻抗；

所述的集成电路更包括一偏压电路，用以提供偏压予第一及第二晶体管， 用以流经一静止电流；

所述的偏压电路具有一第三及第四晶体管，所述的第三晶体管串联所述 的第四晶体管；

所述第一晶体管的栅极通过一电阻连接所述第三晶体管的栅极，在第三 晶体管和第四晶体管所形成的串联结构的两端并联一电容，所述电容与所述 电阻形成一低通滤波器。

11.如权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述的集成电路具有 一放大器或一混频器，所述的电感与至少一电容相结合，用以形成一带通滤 波器或是一带止滤波器。