[发明专利]暖白色半导体及其具有红色石榴石结构的荧光粉无效
| 申请号: | 200810089006.5 | 申请日: | 2008-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN101262038A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
| 发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C09K11/78 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 白色 半导体 及其 具有 红色 石榴石 结构 荧光粉 | ||
1.一种暖白光半导体,其至少具有一半导体异质结与一发光转换层,该半导体异质结与该发光转换层接触,其特征在于:该暖白色发光系由三种光谱带组成,其与该发光转换层的无机荧光粉中的催化剂Ce、Pr及Dy的辐射有关,该荧光粉的化学计量公式为
(Y2-x-y-z-pGdxCeyPrzDypO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β,其中0.001≤x≤0.4,0.01≤y≤0.2,0.0001≤z≤0.1,0.0001≤p≤0.1,0.01≤α≤0.1及0.01≤β≤0.1。
2.如权利要求1所述的暖白光半导体,其中该荧光粉为具有红色光谱石榴石结构的荧光粉。
3.如权利要求1所述的暖白光半导体,其中该三种光谱带分为λImax=450±25nm,λIImax=560±20nm及λIIImax=610±3nm。
4.如权利要求1所述的暖白光半导体,其中该无机荧光粉具有化学计量公式
Y2.66Gd0.32Ce0.03Pr0.005Dy0.005Al5.02O12.06,且该无机荧光粉中原子分率比Ce/(Ce+Pr+Dy)≥0.75,Pr+3形成第三种发射光谱带,并适合于’D2-’C4内部跃迁。
5.如权利要求1所述的暖白光半导体,其中该无机荧光粉的主要激活离子Ce+3辐射的长波方向上的光谱红色标记与Pr+3中’D2-’C4内部跃迁辐射有关,Pr+3浓度为Ce+3的3-25%。
6.如权利要求1所述的暖白光半导体,其中该暖白色半导体的色座标为0.405≤x≤0.515,0.355≤y≤0.550,色温T≤4000K,显色指数R≥80,主波长λ≥565nm。
7.一种具有红色光谱石榴石结构的荧光粉,其用于暖白光半导体中,其化学计量公式为
(Y2-x-y-z-pGdxCeyPrzDypO3)1.5±α(Al2O3)2.5±β,其中0.001≤x≤0.4,0.01≤y≤0.2,0.0001≤z≤0.1,0.0001≤p≤0.1,0.01≤α≤0.1及0.01≤β≤0.1。
8.如权利要求7所述的荧光粉,其中该无机荧光粉具有化学计量公式Y2.66Gd0.32Ce0.03Pr0.005Dy0.005Al5.02O12.06,且该荧光粉中原子分率比Ce/(Ce+Pr+Dy)≥0.75,Pr+3形成第三种发射光谱带,并适合于’D2-’C4内部跃迁。
9.如权利要求7所述的荧光粉,其中该荧光粉的主要激活离子Ce+3辐射的长波方向上的光谱红色标记与Pr+3中’D2-’C4内部跃迁辐射有关,Pr+3浓度为Ce+3的3-25%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗维鸿,未经罗维鸿许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810089006.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:油田防喷器注射覆胶硫化设备及其硫化成型方法
- 下一篇:乙烯和丙烯的制造方法





