[发明专利]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

第一导电型的半导体基板；以及

金属氧化物半导体晶体管，构建在半导体基板上，所述金属氧化物半导体晶体管包括：

第二导电型的源和漏电极，置于半导体基板的表面下，彼此分开地放置；

沟道区域，在半导体基板表面下的源和漏电极之间；

第一绝缘层，置于半导体基板上，覆盖源和漏电极及其间的沟道区域；以及

栅电极，置于第一绝缘层，并连接至栅导线以接收栅电压，

所述漏电极包括：

第一漏区域，与沟道区域相分离，并与第一绝缘层相分离；以及

第二漏区域，位于第一漏区域和沟道区域之间，具有在第一漏区域和第一绝缘层的边缘之间延伸的平表面，

所述栅电极包括：

第一栅层，位于第一绝缘层上，具有从上方观察与第一漏区域相间隔、且存在于第二漏区域之上的一个边缘，所述第一栅层与栅导线电气隔离；

第二栅层，位于第一栅层之上，所述第二栅层与栅导线电气连接；以及

绝缘层，位于第一栅层和第二栅层之间，且把第一栅层和第二栅层电气隔离。

2.按照权利要求1所述的半导体设备，

其中，所述第二栅层从上方观察不延伸超过第一栅层的外边缘。

3.按照权利要求2所述的半导体设备，还包括覆盖层，所述覆盖层配置为覆盖所述第一栅层的外边缘，

其中，所述覆盖层和第二栅层由相同材料同时形成在第一栅层之上的不同部分。

4.按照权利要求1所述的半导体设备，还包括电容器，所述电容器构建在半导体基板上，所述电容器包括：

第一电极，以与第一栅层相同的材料同时形成在半导体基板之上；

第二电极，以与第二栅层相同的材料同时形成在第一电极之上；以及

绝缘层，位于第一电极和第二电极之间，把第一电极和第二电极电气隔离。

5.一种半导体设备，包括：

第一导电型的半导体基板；以及

多个金属氧化物半导体晶体管，构建在半导体基板上，所述多个金属氧化物半导体晶体管的每个包括：

第二导电型的源和漏电极，置于半导体基板的表面下，彼此分开地配置；

沟道区域，在半导体基板表面下的源和漏电极之间；

第一绝缘层，置于半导体基板上，覆盖源和漏电极及其间的沟道区域；以及

栅电极，置于第一绝缘层，并连接至栅导线以接收栅电压，

所述漏电极包括：

第一漏区域，与沟道区域相分离，并与第一绝缘层相分离；以及

第二漏区域，位于第一漏区域和沟道区域之间，具有在第一漏区域和第一绝缘层的边缘之间延伸的平表面，

所述栅电极包括：

第一栅层，位于第一绝缘层上，具有从上方观察与第一漏区域相间隔、且存在于第二漏区域之上的一个边缘，所述第一栅层与栅导线电气隔离；

第二栅层，位于第一栅层之上，所述第二栅层与栅导线电气连接；以及

绝缘层，位于第一栅层和第二栅层之间，且把第一栅层和第二栅层电气隔离，以在其间提供电容，所述电容在所述多个金属氧化物半导体晶体管之中变化。

6.按照权利要求5所述的半导体设备，其中，所述电容通过针对所述多个金属氧化物半导体晶体管的每个确定第二栅层的区域来规定。

7.按照权利要求5所述的半导体设备，

其中，所述第二栅层从上方观察不延伸超过第一栅层的外边缘。

8.按照权利要求7所述的半导体设备，还包括覆盖层，所述覆盖层配置为覆盖所述第一栅层的外边缘，

其中，所述覆盖层和第二栅层由相同材料同时形成在第一栅层之上的不同部分。

9.按照权利要求5所述的半导体设备，还包括电容器，所述电容器构建在半导体基板上，所述电容器包括：

第一电极，以与第一栅层相同的材料同时形成在半导体基板之上；

第二电极，以与第二栅层相同的材料同时形成在第一电极之上；以及

绝缘层，位于第一电极和第二电极之间，且把第一电极和第二电极电气隔离。