[发明专利]光刻曝光装置、系统和光刻图形化方法

权利要求书

1.一种光刻曝光装置，其特征在于，至少包含：

一曝光模块，设计以适用于一曝光程序；

一烘烤模块，设计以适用于一曝光后烘烤程序，其中该烘烤模块包含多个烘烤板；以及

一控制模块，设计以用来控制该曝光模块和该烘烤模块；

其中该控制模块设计以能够用来联系该曝光程序和实施于一衬底的该曝光后烘烤程序，借以控制曝光后延迟时间，使得各衬底间的曝光后延迟时间一致化；

其中该控制模块设计能够指派所述多个烘烤板的其中之一给该衬底；

其中该控制模块设计用来将该曝光程序的一曝光方案利用于该衬底上，该曝光方案被调整且与被指派至所述衬底的烘烤板相关联，以消除或减少衬底与衬底间的曝光后烘烤差异，或以消除或减少该衬底内的曝光后烘烤误差。

2.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，还至少包含与一光刻胶涂布/显影单元耦合的一接口。

3.根据权利要求2所述的光刻曝光装置，其特征在于，该光刻胶涂布/显影单元至少包含一处理模块，该处理模块选自于由一光刻胶涂敷模块、一光刻胶显影模块、一附着剂涂敷模块、一软烘模块、一硬烘模块、一集成测量模块及其组合所组成的一群组。

4.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，还至少包含至少一装载埠，用以从该光刻曝光装置中装载和卸载该衬底。

5.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，该烘烤模块还至少包含一自动控制装置，配置用来传送该衬底。

6.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，该曝光模块还至少包含一照明单元、一掩模平台、一影像透镜单元、以及一衬底平台。

7.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，该曝光模块还至少包含集成至该曝光模块的一测量单元。

8.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，该曝光模块还至少包含一进/出平台单元，在该曝光模块和该烘烤模块间传送该衬底。

9.根据权利要求1所述的光刻曝光装置，其特征在于，其中每一所述烘烤板还至少包含：

一热板，用以执行该曝光后烘烤程序于该衬底；

一冷却板，接近该热板，该冷却板设计以冷却该衬底；以及

一反应室顶盖，在执行于该衬底的该曝光后烘烤程序中，配置该反应室顶盖用以覆盖置于该热板上的该衬底。

10.一种光刻曝光系统，其特征在于，至少包含：

一曝光装置，至少包含：

一曝光模块，设计以适用于一曝光程序；

一烘烤模块，设计以适用于一曝光后烘烤程序，其中该烘烤模块包含多个烘烤板；以及

一控制模块，设计以控制该曝光模块和该烘烤模块；

其中该控制模块设计以能够用来联系该曝光程序和实施于一衬底的该曝光后烘烤程序，借以控制曝光后延迟时间，使得各衬底间的曝光后延迟时间一致化；

其中该控制模块设计能够指派所述多个烘烤板的其中之一给该衬底；

其中该控制模块设计用来将该曝光程序的一曝光方案利用于该衬底上，该曝光方案被调整且与被指派至所述衬底的烘烤板相关联，以消除或减少衬底与衬底间的曝光后烘烤差异，或以消除或减少该衬底内的曝光后烘烤误差；以及

一光刻胶涂布/显影单元，耦合至该曝光装置且配置以适用于一光刻胶工艺。

11.根据权利要求10所述的光刻曝光系统，其特征在于，还至少包含一接口，用以在该光刻胶涂布/显影单元和该曝光装置间传送该衬底。

12.根据权利要求10所述的光刻曝光系统，其特征在于，该曝光模块还至少包含：

一辐射源，用来提供一辐射能；

一透镜系统，配置于该辐射源附近；

一掩模平台，邻近于该透镜系统，该掩模平台是配置用来夹持一掩模；以及

一衬底平台，配置以夹持一衬底，并在一曝光程序中透过该透镜系统和该掩模接收该辐射能。

13.根据权利要求12所述的光刻曝光系统，其特征在于，该辐射源提供该辐射能，且该辐射能选自于由具有一193纳米波长的一氟化氩准分子激光、具有一248纳米波长的一氟化氪准分子激光和具有一365纳米波长的一汞准分子激光所组成的一群组。