[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具备相位补偿用电路，该相位补偿用电路使用了在形成在半导体衬底上的栅极电极和扩散层间具有绝缘膜的结构的MOS电容器，上述半导体器件的特征在于，

上述相位补偿用电路由第一MOS电容器及第二MOS电容器构成，上述第一MOS电容器的栅极电极端子和上述第二MOS电容器的扩散层侧端子(与栅极电极端子相反的端子)被连接，

在上述第一MOS电容器的扩散层侧端子和上述第二MOS电容器的栅极电极端子之间连接利用电流流动而产生电位差的电位差产生元件。

2.根据权利要求1记载的半导体器件，其特征在于：

作为上述电位差产生元件而设置二极管，并构成为向上述二极管流动顺方向电流。

3.根据权利要求1或2记载的半导体器件，其特征在于：

上述相位补偿用电路在运算放大器的相位补偿中使用。

4.根据权利要求3记载的半导体器件，其特征在于，具备：

差动放大电路；及

栅极被上述差动放大电路的输出驱动的MOS晶体管；

上述第一MOS电容器的栅极电极端子及上述第二MOS电容器的扩散层侧端子被连接到上述MOS晶体管的栅极，

上述电位差产生元件的任一端子被连接到上述MOS晶体管的漏极，

上述第一MOS电容器的扩散层侧端子被连接到上述电位差产生元件的一个端子，

上述第二MOS电容器的栅极电极端子被连接到上述电位差产生元件的另一个端子。

5.根据权利要求3记载的半导体器件，其特征在于，具备：

差动放大电路；及

基极被上述差动放大电路的输出驱动的双极型晶体管；

在上述双极型晶体管的基极上连接上述第一MOS电容器的栅极电极端子及上述第二MOS电容器的扩散层侧端子，

上述电位差产生元件的任一端子被连接到上述双极型晶体管的集电极，

上述第一MOS电容器的扩散层侧端子被连接到上述电位差产生元件的一个端子，

上述第二MOS电容器的栅极电极端子被连接到上述电位差产生元件的另一个端子。

6.根据权利要求4或5记载的半导体器件，其特征在于：

从上述电位差产生元件的任一端子或上述电位差产生元件的中间点到上述差动放大电路的输入，设置负反馈路径。