[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号: | 200810087091.1 | 申请日: | 2004-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN101350290A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
| 发明(设计)人: | 城户秀作 | 申请(专利权)人: | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;黄启行 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,在对基板实施处理的基板处理装置之中,其特征在于:配置有进行基板传送的基板传送机构、用于对基板实施药液处理以除去在所述基板上形成的有机膜图形上形成的变质层或堆积层的药液处理单元、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元,其中,所述气体气氛处理单元,使所述有机膜图形溶解变形,将变形后的有机膜图形作为掩膜,用于图形加工所述有机膜图形的底膜。
2.一种基板处理装置,在对基板实施处理的基板处理装置之中,其特征在于:配置有进行基板传送的基板传送机构、调整基板温度的温度调整处理单元、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元,其中,所述气体气氛处理单元,使所述有机膜图形溶解变形,将变形后的有机膜图形作为掩膜,用于图形加工所述有机膜图形的底膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NEC液晶技术株式会社,未经NEC液晶技术株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810087091.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于在已安装的衬底上形成焊接触点的方法
- 下一篇:发光器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





